[发明专利]一种温度自补偿式非本征法布里珀罗腔及制作方法

权利要求书

1.一种温度自补偿式非本征法布里珀罗腔的制作方法，包括蓝宝石膜片(1)、二氧化硅基座(2)和蓝宝石柱片(4)，蓝宝石膜片(1)位于二氧化硅基座(2)顶部，所述二氧化硅基座(2)由二氧化硅侧壁(5)和二氧化硅底座(6)组成；二氧化硅侧壁(5)和二氧化硅底座(6)与蓝宝石膜片(1)构成真空腔(3)，蓝宝石柱片(4)设置在真空腔(3)内，并固定在蓝宝石膜片(1)的底部中心位置；

其特征在于，制作方法包括：

S1、取蓝宝石膜片，蓝宝石膜片的厚度为300μm、规格8×8mm、热膨胀系数为7.5×10^-6/K；

S2、在S1的蓝宝石膜片上制作蓝宝石柱片(4)：蓝宝石柱片(4)的中心轴线与蓝宝石膜片(1)的中心重合，利用MEMS湿法刻蚀工艺，将S1的蓝宝石膜片的下表面四周进行深度刻蚀，在蓝宝石膜片(1)下表面中心刻蚀出厚度为20～200μm、表面粗糙度为10nm、直径为1mm的蓝宝石柱片(4)；

S3、对没有与蓝宝石柱片(4)接触的蓝宝石膜片(1)下表面用功率为6W、脉冲时间小于190fs、脉冲能量大于1兆焦耳的飞秒激光器使其表面粗糙化，粗糙度为1μm；

S4、利用MEMS湿法刻蚀技术制作二氧化硅基座(2)的腔体结构，其表面粗糙度小于10nm，二氧化硅基座(2)的热膨胀系数为0.5×10^-6/K；

S5、将二氧化硅基座(2)与蓝宝石膜片(1)相互垂直安置在精度为1μm的步进电机上，利用二氧化碳激光器对蓝宝石膜片(1)先进行表层融化，融化深度为1nm，然后再对二氧化硅基座(2)与蓝宝石膜片(1)接触的表面进行融化处理，融化深度为1nm，控制步进电机，将两个部件融合在一起，在室温下冷却一个小时，利用二氧化碳激光器对融合的接口处在进行融化，融化深度为2nm，并保持1分钟，使二氧化硅基座(2)与蓝宝石膜片(1)密封在一起。

2.根据权利要求1所述的温度自补偿式非本征法布里珀罗腔的制作方法，其特征在于，真空腔(3)的真空度小于5×10^-4Pa。