[发明专利]存储器装置和操作该存储器装置的方法

说明书

存储器装置和操作该存储器装置的方法。本公开涉及一种存储器装置。存储器装置包括第一存储器单元串、第二存储器单元串、外围电路和控制逻辑。外围电路通过第一位线连接到每一个第一存储器单元串的第一漏极选择晶体管，并且通过第二位线连接到每一个第二存储器单元串的第二漏极选择晶体管。控制逻辑控制外围电路将第一位线中的编程禁止位线的电位增加到第一电压，并且在编程禁止位线的电位增加到第一电压之后，将编程禁止位线浮置，并且将第二位线的电位增加到第二电压。

技术领域

本公开涉及一种电子装置，并且更具体地，涉及一种存储器装置以及一种操作该存储器装置的方法。

背景技术

存储器装置是在诸如计算机或智能电话的主机装置的控制下存储数据的装置。存储器装置可以包括其中存储数据的存储器装置和控制该存储器装置的存储器控制器。存储器装置分为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。

易失性存储器装置是仅在通电时才存储数据并且在切断电源时丢失所存储的数据的装置。易失性存储器装置包括静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)等。

非易失性存储器装置是即使切断电源也不会丢失数据的装置。非易失性存储器装置包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)和闪存存储器等。

发明内容

根据本公开的实施方式的存储器装置可以包括第一存储器单元串、第二存储器单元串、外围电路和控制逻辑。外围电路可以通过第一位线连接到每一个第一存储器单元串的第一漏极选择晶体管，并且可以通过第二位线连接到每一个第二存储器单元串的第二漏极选择晶体管。控制逻辑可以控制外围电路将第一位线中的编程禁止位线的电位增加到第一电压，并且在编程禁止位线的电位增加到第一电压之后，将编程禁止位线浮置，并且将第二位线的电位增加到第二电压。

一种根据本公开的一种实施方式的操作包括第一存储器单元串和第二存储器单元串的存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：将与每一个第一存储器单元串的第一漏极选择晶体管连接的第一位线中的编程禁止位线的电位增加到第一电压；将编程禁止位线浮置；以及将与每一个第二存储器单元串的第二漏极选择晶体管连接的第二位线的电位增加到第二电压。

根据本公开的一种实施方式的存储器装置可以包括第一存储器单元串、第二存储器单元串、外围电路和控制逻辑。外围电路可以通过第一位线连接到每一个第一存储器单元串的第一漏极选择晶体管，并且可以通过第二位线连接到每一个第二存储器单元串的第二漏极选择晶体管。控制逻辑可以控制外围电路，以通过将第一位线中的编程禁止位线的电位增加到第一电压并且将第二位线的电位增加到第二电压来将编程禁止位线的电位从第一电压增加到第三电压。

附图说明

图1是用于描述根据本公开的一种实施方式的存储器装置的结构的图。

图2是用于描述图1的存储器单元阵列的一种实施方式的图。

图3是用于描述图1的存储器单元阵列的另一实施方式的图。

图4是示出图3的存储器块BLK1至BLKz中的任何一个存储器块BLKa的电路图。

图5是示出图3的存储器块BLK1至BLKz中的任何一个存储器块BLKb的另一实施方式的电路图。

图6是用于描述根据一种实施方式的编程操作的图。

图7是用于描述图1的页缓冲器的图。

图8是用于描述图7的位线电压设置电路的图。

图9是用于描述根据一种实施方式的位线设置操作的图。

图10是用于描述根据一种实施方式的位线设置操作的时序图。

图11是用于描述编程操作的流程图。