[发明专利]固体电解质电容器及其制造方法在审
| 申请号： | 202010721467.0 | 申请日： | 2020-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN112863881A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 洪珍浩;金铅洙;权五春;吴贤燮 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01G9/052 | 分类号： | H01G9/052;H01G9/15 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 赵晓旋;孙丽妍 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 固体 电解质 电容器 及其 制造 方法 | ||
1.一种固体电解质电容器，包括：
烧结体，包含金属；以及
导电聚合物层，设置在所述烧结体上，
其中，所述导电聚合物层在所述烧结体的边缘部分中的厚度t2与所述导电聚合物层在所述烧结体的中央部分中的厚度t1之比t2/t1满足0.35≤t2/t1≤0.9。
2.根据权利要求1所述的固体电解质电容器，其中，所述导电聚合物层在所述烧结体的所述边缘部分中的厚度t2为3μm至20μm。
3.根据权利要求1所述的固体电解质电容器，其中，所述导电聚合物层包括聚吡咯、3,4-乙烯二氧噻吩或聚苯胺。
4.根据权利要求1所述的固体电解质电容器，其中，所述导电聚合物层包括石墨烯、碳纳米管和炭黑中的任意一种或更多种导电颗粒。
5.根据权利要求4所述的固体电解质电容器，其中，相对于所述导电聚合物层的100wt％的聚合物固体含量，所述导电聚合物层包括大于等于5wt％且小于等于25wt％的量的所述导电颗粒。
6.根据权利要求1-5中任意一项所述的固体电解质电容器，其中，所述导电聚合物层包括BaTiO3、Al2O3、SiO2和ZrO2中的任意一种或更多种氧化物。
7.根据权利要求1-5中任意一项所述的固体电解质电容器，其中，所述金属包括从由钽、铝、铌、钒、钛和锆组成的组中选择的一种或更多种。
8.根据权利要求1-5中任意一项所述的固体电解质电容器，所述固体电解质电容器还包括：
碳层，设置在所述导电聚合物层上；以及
银层，设置在所述碳层上。
9.一种固体电解质电容器的制造方法，包括以下操作：
通过烧结包含金属粉末的模制体形成烧结体；以及
在所述烧结体上形成导电聚合物层，以使所述导电聚合物层在所述烧结体的边缘部分中的厚度t2与所述导电聚合物层在所述烧结体的中央部分中的厚度t1之比t2/t1满足0.35≤t2/t1≤0.9。
10.根据权利要求9所述的固体电解质电容器的制造方法，其中，所述导电聚合物层在所述烧结体的所述边缘部分中的厚度t2为3μm至20μm。
11.根据权利要求9所述的固体电解质电容器的制造方法，其中，所述导电聚合物层包括聚吡咯、3,4-乙烯二氧噻吩或聚苯胺。
12.根据权利要求9所述的固体电解质电容器的制造方法，其中，所述导电聚合物层包括石墨烯、碳纳米管和炭黑中的任意一种或更多种导电颗粒。
13.根据权利要求12所述的固体电解质电容器的制造方法，其中，相对于所述导电聚合物层的100wt％的聚合物固体含量，所述导电聚合物层包括大于等于5wt％且小于等于25wt％的量的所述导电颗粒。
14.根据权利要求9-13中任意一项所述的固体电解质电容器的制造方法，其中，所述导电聚合物层包括BaTiO3、Al2O3、SiO2和ZrO2中的一种或更多种氧化物。
15.根据权利要求9-13中任意一项所述的固体电解质电容器的制造方法，其中，所述金属粉末包括从由钽、铝、铌、钒、钛和锆组成的组中选择的一种或更多种。
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