[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010720748.4 | 申请日： | 2020-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN112466922A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 星保幸 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张欣;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
有源区，其有主电流流通；
栅极环区，其包围所述有源区的周围；
环区，其包围所述栅极环区的周围；以及
终端区，其包围所述环区的周围，
所述有源区具有：
第一导电型的半导体基板；
第一导电型的第一半导体层，其设置于所述半导体基板的正面，且杂质浓度比所述半导体基板的杂质浓度低；
第二导电型的第二半导体层，其设置于所述第一半导体层的与所述半导体基板侧相反侧的表面；
第一导电型的第一半导体区，其选择性地设置于所述第二半导体层的与所述半导体基板侧相反侧的表面层；
栅极绝缘膜，其与所述第二半导体层接触；
第一栅电极，其设置于所述栅极绝缘膜的与所述第二半导体层接触的面相反侧的表面；
层间绝缘膜，其设置于所述第一栅电极上；
第一个第一电极，其设置于所述第二半导体层和所述第一半导体区的表面；以及
第二电极，其设置于所述半导体基板的背面，
所述环区具有：
所述半导体基板；
所述第一半导体层；
所述第二半导体层；
第二个第一电极，其设置于所述第二半导体层的表面；以及
第二导电型的第三半导体区，其以与所述第二半导体层接触的方式设置于所述第一半导体层的表面，且杂质浓度比所述第二半导体层的杂质浓度高，
在所述环区中，在所述第三半导体区的底面的与所述第二个第一电极对置的位置设置有第一导电型或第二导电型的第二半导体区。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述环区还具有第二沟槽，所述第二沟槽贯穿所述第一半导体区和所述第二半导体层，并到达所述第三半导体区，
所述第二个第一电极设置于所述第二沟槽的内部。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二半导体区在俯视时呈四边形，且边部也设置有角部。
4.一种半导体装置，其特征在于，具备：
有源区，其有主电流流通；
栅极环区，其包围所述有源区的周围；
环区，其包围所述栅极环区的周围；以及
终端区，其包围所述环区的周围，
所述有源区具有：
第一导电型的半导体基板；
第一导电型的第一半导体层，其设置于所述半导体基板的正面，且杂质浓度比所述半导体基板的杂质浓度低；
第二导电型的第二半导体层，其设置于所述第一半导体层的与所述半导体基板侧相反侧的表面；
第一导电型的第一半导体区，其选择性地设置于所述第二半导体层的与所述半导体基板侧相反侧的表面层；
栅极绝缘膜，其与所述第二半导体层接触；
第一栅电极，其设置于所述栅极绝缘膜的与所述第二半导体层接触的面相反侧的表面；
层间绝缘膜，其设置于所述第一栅电极上；
第一个第一电极，其设置于所述第二半导体层和所述第一半导体区的表面；以及
第二电极，其设置于所述半导体基板的背面，
所述环区具有：
所述半导体基板；
所述第一半导体层；
所述第二半导体层；
第二个第一电极，其设置于所述第二半导体层的表面；以及
第二导电型的第三半导体区，其以与所述第二半导体层接触的方式设置于所述第一半导体层的表面，且杂质浓度比所述第二半导体层的杂质浓度高，
在所述环区中，在与所述第二个第一电极对置的位置中由所述第一半导体层和所述第三半导体区构成的pn结处设置有寿命控制区。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述寿命控制区的所述第二电极侧的面到达所述半导体基板。
6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述环区还具有第二沟槽，所述第二沟槽贯穿所述第一半导体区和所述第二半导体层，并到达所述第三半导体区，
所述第二个第一电极设置于所述第二沟槽的内部。
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