[发明专利]电子设备在审
| 申请号: | 202010719953.9 | 申请日: | 2020-07-23 |
| 公开(公告)号: | CN113972465A | 公开(公告)日: | 2022-01-25 |
| 发明(设计)人: | 夏晓岳;洪伟;余超;吴凡;蒋之浩;徐鑫;李挺钊;缑城 | 申请(专利权)人: | 南京锐码毫米波太赫兹技术研究院有限公司;华为技术有限公司 |
| 主分类号: | H01Q1/22 | 分类号: | H01Q1/22;H01Q1/36;H01Q1/50;H01Q1/52 |
| 代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊永强;李稷芳 |
| 地址: | 211111 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电子设备 | ||
1.一种电子设备,其特征在于,包括:金属外壳和天线模组,所述天线模组设于所述金属外壳的内侧;
所述金属外壳开设有天线缝,所述天线缝包括交叉设置的第一天线缝和第二天线缝;
所述天线模组包括天线单元,所述天线单元包括背腔层和辐射层,所述背腔层位于所述辐射层和所述金属外壳之间,所述辐射层开设有缝隙,所述缝隙包括交叉设置的第一缝隙和第二缝隙;
其中,所述第一天线缝和所述第一缝隙相对设置且尺寸不同,所述第二天线缝和所述第二缝隙相对设置且尺寸不同。
2.如权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述辐射层为多层;多层所述辐射层层叠设置,并且均开设有缝隙;
在多层所述辐射层中,至少部分所述辐射层的缝隙的尺寸不同;或者,多层所述辐射层的缝隙的尺寸均不同。
3.如权利要求2所述的电子设备,其特征在于,多层所述辐射层至少包括依次层叠设置的第一辐射层、第二辐射层、第三辐射层、第四辐射层和第五辐射层;
所述第二辐射层具有第一功分器,所述第一功分器用于对所述第一天线缝和所述第一缝隙耦合馈电;
所述第四辐射层具有第二功分器,所述第二功分器用于对所述第二天线缝和所述第二缝隙耦合馈电;
所述第三辐射层位于所述第二辐射层和所述第四辐射层之间,用于提高所述第一功分器的馈电端和所述第二功分器的馈电端的隔离度。
4.如权利要求3所述的电子设备,其特征在于,所述第一辐射层在对应第二缝隙的端部设有第二凸起部,所述第二凸起部朝向所述第二缝隙的另一个端部凸起,以调节基于所述第二缝隙和所述第二天线缝的阻抗匹配。
5.如权利要求3或4所述的电子设备,其特征在于,所述第一功分器包括第一馈电端、第一馈电分支和第二馈电分支;所述第一馈电分支和所述第二馈电分支分别与所述第一馈电端连接;
所述第一馈电端位于所述第二辐射层的第一缝隙的一侧;所述第一馈电分支的一部分和所述第二馈电分支的一部分均与所述第二辐射层的第一缝隙相垂直,并且横跨所述第二辐射层的第一缝隙。
6.如权利要求3至5任一项所述的电子设备,其特征在于,所述第二功分器包括第二馈电端、第三馈电分支和第四馈电分支;所述第三馈电分支和所述第四馈电分支分别与所述第二馈电端连接;
所述第二馈电端位于所述第四辐射层的第二缝隙的一侧;所述第三馈电分支的一部分和所述第四馈电分支的一部分均与所述第四辐射层的第二缝隙相垂直,并且横跨所述第四辐射层的第二缝隙。
7.如权利要求3至6任一项所述的电子设备,其特征在于,所述第五辐射层在对应第一缝隙的端部设有第一凸起部,所述第一凸起部朝向所述第一缝隙的另一个端部凸起,以调节基于所述第一缝隙和所述第一天线缝的阻抗匹配。
8.如权利要求3至7任一项所述的电子设备,其特征在于,所述背腔层位于所述第五辐射层的一侧,并且远离所述金属外壳。
9.如权利要求1至8任一项所述的电子设备,其特征在于,所述金属外壳中对应所述第一天线缝和所述第二天线缝的内壁为阶梯状。
10.如权利要求9所述的电子设备,其特征在于,沿着所述金属外壳的外侧到内侧的方向,阶梯状的所述内壁的长边逐渐减小,短边逐渐增大;或者,
沿着所述金属外壳的外侧到内侧的方向,阶梯状的所述内壁的长边逐渐增大,短边逐渐减小;或者,
沿着所述金属外壳的外侧到内侧的方向,阶梯状的所述内壁的长边和短边均逐渐增大;或者,
沿着所述金属外壳的外侧到内侧的方向,阶梯状的所述内壁的长边和短边均逐渐减小。
11.如权利要求1至10任一项所述的电子设备,其特征在于,所述电子设备还包括:介质材料;所述介质材料设在所述金属外壳的所述第一天线缝和所述第二天线缝内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京锐码毫米波太赫兹技术研究院有限公司;华为技术有限公司,未经南京锐码毫米波太赫兹技术研究院有限公司;华为技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010719953.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体器件的隔离的形成方法
- 下一篇:一种抗撞击性能好的护栏





