[发明专利]光刻装置及其曝光方法

权利要求书

1.一种光刻装置，其特征在于，包括从上到下依次设置的光源、中继透镜、第一遮光板、掩膜板及工件台，所述工件台上用于放置一硅片，所述掩膜板包括位于中心的曝光图形区及位于所述曝光图形区四周的外围区，所述外围区设置有透光图案，所述第一遮光板设置在所述中继透镜与所述掩膜板之间，且所述第一遮光板在所述掩膜板上的投影至少覆盖所述掩膜板上的透光图案。

2.如权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述透光图案包括若干对准标记，所述工件台上设置有若干基准标记，所述对准标记与所述基准标记一一对应。

3.如权利要求2所述的光刻装置，其特征在于，所述透光图案还包括防静电环。

4.如权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述光刻装置还包括驱动组件，所述驱动组件与所述第一遮光板连接以驱动所述第一遮光板在水平面上平移。

5.如权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述光刻装置还包括投影透镜，所述投影透镜位于所述掩膜板及所述工件台之间。

6.如权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述光刻装置还包括第二遮光板，所述第二遮光板位于所述光源与所述中继透镜之间以控制进入所述中继透镜的光线。

7.如权利要求6所述的光刻装置，其特征在于，所述第一遮光板及所述第二遮光板均为方形，且所述第一遮光板及所述第二遮光板均具有中心通孔。

8.如权利要求6所述的光刻装置，其特征在于，所述第一遮光板及所述第二遮光板的材质均为不锈钢。

9.如权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述光源为深紫外光。

10.一种使用如权利要求1-9所述的光刻装置进行曝光的方法，其特征在于，包括：

将一硅片放置在工件台上并进行对准；

调整第一遮光板的位置，使所述第一遮光板在掩膜板上的投影至少覆盖所述掩膜板的透光图案；

开启光源，使所述光源的光线依次通过中继透镜、所述第一遮光板、所述掩膜板的曝光图形区最终到达所述硅片上。