[发明专利]一种铜基石墨烯的制备方法及电触点的制备方法

权利要求书

1.一种铜基石墨烯的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1：含酚羟基有机物、金属化合物溶解于溶剂中形成浆料，浆料与铜粉混合均匀形成铜基初体，其中，含酚羟基有机物以及金属化合物发生络合反应，分布在铜粉表面，形成防烧结剂；

步骤S2：对铜基初体进行干燥，形成铜基成品；

步骤S3：铜基成品采用化学气相沉积法生长石墨烯层，形成铜基石墨烯初体；

步骤S4：铜基石墨烯初体采用溶剂分离法去除杂质，烘干形成铜基石墨烯成品。

2.根据权利要求1所述的铜基石墨烯的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，含酚羟基有机物为单宁酸和没食子酸按照质量比为3:1～5:1配比形成的混合有机酸，所述金属化学物为硫酸亚铁。

3.根据权利要求2所述的铜基石墨烯的制备方法，其特征在于，所述溶剂为乙醇：乙二醇：丙三醇按照质量比3:1:1～6:1:1混合形成的混合溶液。

4.根据权利要求3所述的铜基石墨烯的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，溶剂与混合有机酸的质量比为1:1～1:3，所述硫酸亚铁在浆料中的质量分数为1wt％。

5.根据权利要求3所述的铜基石墨烯的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述浆料与所述铜粉的质量比为1:5～2:5。

6.根据权利要求1所述的铜基石墨烯的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述铜基初体的干燥操作为在60℃的鼓风干燥箱中烘5h。

7.根据权利要求1所述的铜基石墨烯的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中化学气相沉积法包括如下步骤：

步骤S31：铜基成品置于化学气相沉积炉内，向化学气相沉积炉中通入100～150sccm的氩气，使化学气相沉积炉中充满氩气，并将化学气相沉积炉内温度上升至反应温度950～1020℃，保温；

步骤S32：保持氩气的通入，向化学气相沉积炉中通入甲烷和氢气，实现铜基成品上石墨烯的生长，其中，甲烷的流量为4～10sccm，氢气的流量为20～50sccm，生长时间为1～2h；

步骤S33：冷却至室温，制得铜基石墨烯初体。

8.根据权利要求1所述的铜基石墨烯的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中溶剂分离法包括如下步骤：

步骤S41：将铜基石墨烯初体置于水溶液中进行超声清洗，每次清洗2min，清洗18～20次；

步骤S42：经水洗后的铜基石墨烯初体放入乙醇中进行超声清洗，每次清洗2min，清洗3～5次。

9.一种电触点的制备方法，其特征在于，采用上述权利要求1～8中任意一项所述的铜基石墨烯成品依次经由压制、烧结、热挤压步骤制备形成电触点。

10.根据权利要求9所述的电触点的制备方法，其特征在于，所述压制步骤为将铜基石墨烯成品以500MPa的压力等静挤压，形成第一坯块；

所述烧结步骤为将挤压形成的第一坯块在氩气保护下以850℃的温度烧结2h，形成第二坯块；

所述热挤压步骤为将烧结形成的第二坯块放入模具中挤压成型，模具温度为850℃，挤压比为50。