[发明专利]数据储存装置以及非挥发式存储器控制方法

说明书

本发明涉及数据储存装置的高效修整，其中一控制器根据一主机发出的一修整指令，编写一暂存存储器上一快取区反映修整状况，使上述修整状况得以自该快取区冲至该非挥发式存储器，而一主机‑装置映射表耗费资源的更新得以搁置。

技术领域

本发明有关于数据储存装置的修整(trimming)技术。

背景技术

非挥发式存储器有多种形式─例如，快闪存储器(flash memory)、磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive RAM)、铁电随机存取存储器(Ferroelectric RAM)、电阻式随机存取存储器(Resistive RAM)、自旋转移力矩随机存取存储器(Spin Transfer Torque-RAM，STT-RAM)…等，用于长时间数据保存，可做为储存媒体实现一数据储存装置。

非挥发式存储器通常有其特殊的储存特性。本技术领域需要相应非挥发式存储器的储存特性发展相应的控制技术。例如，符合非挥发式存储器储存特性的修整(trimming)技术。

发明内容

本发明提出一种修整指令执行技术。

根据本发明一种实施方式实现的一数据储存装置包括一非挥发式存储器、以及耦接该非挥发式存储器的一控制器以及一暂存存储器。该控制器建构来根据一主机发出的一修整指令，编写该暂存存储器上一快取区反映修整状况，使上述修整状况得以自该快取区冲至该非挥发式存储器。该修整指令要求一大量修整，该大量修整对齐一第一长度的分界、且为该第一长度的N倍，N为正整数。该控制器令该快取区载有N个位元标示该大量修整。

一种实施方式中，该控制器还在该暂存存储器上管理一修整位元总表，该修整位元总表包括多个修整位元子表。上述N个位元对应到该等修整位元子表其中M个修整位元子表，M为正整数。该快取区载有上述M个修整位元子表，藉以载有上述N个位元。

一种实施方式中，该控制器还在该暂存存储器上管理一修整资讯旗标表，对应该快取区的上述多个储存格，标示该快取区中载有上述M个修整位元子表的储存格。该控制器还令该修整资讯旗标表，随着该快取区冲至该非挥发式存储器。

一种实施方式中，该控制器还在该暂存存储器上管理一储存资讯表，对应该快取区的多个储存格，在对应的储存格储存使用者数据时记录一逻辑地址，且在对应的储存格载有上述修整位元子表时记录对应的子表编号。该控制器还令该储存资讯表，随着该快取区冲至该非挥发式存储器。

一种实施方式中，一个修整位元子表的尺寸为该快取区一个储存格的一半容量。一个储存格的前半段载有一个修整位元子表时，该储存资讯表中对应该个储存格的资讯是以前半段记录该个修整位元子表的子表编号。一个储存格的后半段载有一个修整位元子表时，该储存资讯表中对应该个储存格的资讯是以后半段记录该个修整位元子表的子表编号。

一种实施方式中，该修整指令还要求一中等长度修整。该中等长度修整不超过该第一长度，且对齐一第二长度的分界。该控制器还对应该中等长度修整，将虚置映射数据填入一主机-装置映射表。该控制器在该快取区记录该中等长度修整的起始逻辑地址以及长度。

一种实施方式中，该控制器还以该修整资讯旗标表标示该快取区中载有该中等长度修整的起始逻辑地址以及长度的储存格。

一种实施方式中，该控制器还令该储存资讯表，在对应的储存格载有该中等长度修整的起始逻辑地址以及长度时，记录一中等长度修整代号。

一种实施方式中，该中等长度修整的起始逻辑地址以及长度结合虚置数据占据一个储存格的一半容量。一个储存格以前半段快取该中等长度修整的起始逻辑地址以及长度时，该储存资讯表中对应该个储存格的资讯是以前半段记录该中等长度修整代号。一个储存格以后半段快取该中等长度修整的起始逻辑地址以及长度时，该储存资讯表中对应该个储存格的资讯是以后半段记录该中等长度修整代号。