[发明专利]氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法

说明书

本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法，更详细地，涉及一种如下的氮化硅膜蚀刻溶液及使用其来进行的半导体器件的制备方法，即，确保滴定溶解度，在低温下不易分解，在蚀刻条件下容易分解以防止生长成硅类颗粒，可提高相对于氧化硅膜对氮化硅膜的选择比。

技术领域

本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法，更详细地，涉及一种氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法，该氮化硅膜蚀刻溶液防止颗粒的产生，并增加相对于氧化硅膜对氮化硅膜的选择比。

背景技术

现在，蚀刻氮化硅膜的方法有多种，主要使用干式蚀刻法和湿式蚀刻法。

通常，干式蚀刻法是使用气体的蚀刻方法，相比于湿式蚀刻法，具有各向同性突出的优点，但其生产率远低于湿式蚀刻法并且是一种昂贵的方式，因此趋于广泛使用湿式蚀刻法。

通常，作为湿式蚀刻法使用磷酸作为蚀刻溶液的方法是众所周知的。此时，为了蚀刻氮化硅膜而仅使用纯磷酸的情况下，随着器件的小型化，不仅会蚀刻氮化硅膜，还会蚀刻氧化硅膜，可能发生各种不良以及图案异常等问题，因此需要通过在氧化硅膜形成保护膜来进一步降低氧化硅膜的蚀刻速度。

发明内容

发明所要解决的问题

本发明的目的在于，提供一种氮化硅膜蚀刻溶液，该蚀刻溶液防止颗粒生成，在蚀刻条件下提高相对于氧化硅层对的选择比。

并且，本发明的目的在于，提供一种包括通过使用上述氮化硅膜蚀刻溶液来进行的半导体器件的制备方法。

用于解决问题的方案

为解决上述问题，根据本发明的一实施方式，氮化硅膜蚀刻溶液包含磷酸水溶液以及由下述化学式1表示的化合物，

化学式1：

在上述化学式1中，

虚线表示单键或双键，

Y₁选自氧及硫，

Y₂选自氧、硫以及羟基(-OH)，

X选自硫以及磷，

Z选自氢、卤素、烷氧基以及羟基，

A为1至4。

并且，根据本发明的另一实施方式，提供一种通过使用上述的氮化硅膜蚀刻溶液来进行的半导体器件的制备方法。

发明效果

根据本发明的氮化硅膜蚀刻溶液包含由化学式1表示的化合物，与水或酸的反应性下降，因此可防止在常温以及低温下生长成硅类颗粒。

并且，本发明的氮化硅膜蚀刻溶液包含由化学式1表示的化合物，可增加相对于氧化硅膜对氮化硅膜的蚀刻选择比。

附图说明

图1为简要示出利用根据本发明的一实施例的蚀刻溶液的氮化硅膜去除工序的剖视图。

附图标记说明：

10：硅基板

11：氮化硅膜

12：氧化硅膜

20：层叠结构体

30：掩模图案层

50：沟槽。

具体实施方式