[发明专利]一种芯片制造过程中电镀工艺成品率的控制方法

权利要求书

1.一种芯片制造过程中电镀工艺成品率的控制方法，其特征在于：将PCM测试图形作为标准图形放置在MMIC电镀工艺的每层工艺中，然后对PCM测试图形进行测试，通过4个测试电极之间的电压来充分表征复杂芯片的良率，所述芯片为砷化镓MMIC和氮化镓MMIC芯片，所述PCM测试图形为插指状测试图形，包括两种，一种为平面衬底的电镀工艺的PCM测试图形，另一种为非平面衬底的电镀工艺的PCM测试图形。

2.根据权利要求1所述的一种芯片制造过程中电镀工艺成品率的控制方法，其特征在于：所述平面衬底的电镀工艺的PCM测试图形为正方形，四个角处设置四个测试电极，分别为测试电极1、测试电极2、测试电极3和测试电极4，所述测试电极1和测试电极4为一组测试电极，分别位于PCM测试图形的左上角和右上角，测试电极1和测试电极4之间的镀金区PCM中线条呈插指状设置，测试电极1和测试电极4之间的非镀金区PCM中线条填充于镀金区PCM中线条之外的区域，呈连续弯折状设置，测试电极1外侧的镀金区PCM中线条呈“F”型设置，测试电极4外侧的镀金区PCM中线条呈“倒L”型设置；所述测试电极2和测试电极3为一组测试电极，分别位于PCM测试图形的左下角和右下角，测试电极2和测试电极3之间的镀金区PCM中线条呈插指状设置，测试电极2和测试电极3之间的非镀金区PCM中线条填充于镀金区PCM中线条之外的区域，呈连续弯折状设置，测试电极3外侧的镀金区PCM中线条呈“F”型设置，测试电极2外侧的镀金区PCM中线条呈“倒L”型设置。

3.根据权利要求1所述的一种芯片制造过程中电镀工艺成品率的控制方法，其特征在于：所述非平面衬底的电镀工艺的PCM测试图形为正方形，四个角处设置四个测试电极，分别为测试电极1、测试电极2、测试电极3和测试电极4，所述测试电极1和测试电极4为一组测试电极，分别位于PCM测试图形的左上角和右上角，测试电极1和测试电极4之间的镀金区PCM中线条呈插指状设置，测试电极1和测试电极4之间的非镀金区PCM中线条填充于镀金区PCM中线条之外的区域，呈连续弯折状设置，测试电极1外侧的镀金区PCM中线条呈“F”型设置，测试电极4外侧的镀金区PCM中线条呈“倒L”型设置；所述测试电极2和测试电极3为一组测试电极，分别位于PCM测试图形的左下角和右下角，测试电极2和测试电极3之间的镀金区PCM中线条呈插指状设置，测试电极2和测试电极3之间的非镀金区PCM中线条填充于镀金区PCM中线条之外的区域，呈连续弯折状设置测试电极3外侧的镀金区PCM中线条呈“F”型设置，测试电极2外侧的镀金区PCM中线条呈“倒L”型设置，并且测试电极之间的镀金区PCM中线条上还均匀间隔设置有多条竖直的凹凸线。

4.根据权利要求2或3所述的一种芯片制造过程中电镀工艺成品率的控制方法，其特征在于：所述镀金区PCM中线条与非镀金区PCM中线条为等宽度的形式布置，宽度为2～10μm。

5.根据权利要求2或3所述的一种芯片制造过程中电镀工艺成品率的控制方法，其特征在于：所述四个测试电极均为边长为80μm的正方形，每一个测试电极连接相同周期的PCM中线条，并且每个测试电极连接PCM中线条的周期为1-10。

6.根据权利要求5所述的一种芯片制造过程中电镀工艺成品率的控制方法，其特征在于：当每个测试电极连接PCM中线条的周期大于5时，测试电极1和测试电极4之间的PCM中线条与测试电极2和测试电极3之间的PCM中线条的宽度相同或不同。

7.根据权利要求2或3所述的一种芯片制造过程中电镀工艺成品率的控制方法，其特征在于：所述PCM测试图形根据用户的需求放置在不影响芯片的任何位置。