[发明专利]氮化镓系烧结体和其制造方法

权利要求书

1.一种氮化镓系膜，其特征在于，晶相为六方晶结构，(002)面与(101)面的峰强度比I(002)/I(101)为150以上，最低含氧量为5×10²¹atm/cm³以下。

2.根据权利要求1所述的氮化镓系膜，其特征在于，(002)面的ω测定峰的半值宽度为2°以下。

3.根据权利要求1或2所述的氮化镓系膜，其特征在于，(002)面的2θ/θ测定峰的半值宽度为0.3°以下。

4.一种权利要求1～3中任一项所述的氮化镓系膜的成膜方法，其特征在于，为通过溅射法制造氮化镓系膜的方法，其中，使成膜时的溅射气体压低于0.3Pa。

5.根据权利要求4所述的氮化镓系膜的成膜方法，其特征在于，达到真空度设为3×10^-5Pa以下。

6.根据权利要求4或5所述的氮化镓系膜的成膜方法，其特征在于，基板加热温度设为100℃以上且800℃以下。

7.一种层叠基板，其是包含权利要求1～3中任一项所述的氮化镓系膜和基板而成的。

8.一种半导体元件，其特征在于，使用权利要求7所述的层叠基板。

9.一种电子设备，其特征在于，包含权利要求8所述的半导体元件。

10.一种层叠体，其特征在于，是包含硅单晶层、金属硫化物层和氮化镓层而成的，在硅单晶层与氮化镓层之间存在金属硫化物层，表面粗糙度Ra为10nm以下。

11.根据权利要求10所述的层叠体，其特征在于，在硅单晶层上层叠有金属硫化物层。

12.根据权利要求10或11所述的层叠体，其特征在于，金属硫化物层以硫化锰为主成分。

13.根据权利要求10或11所述的层叠体，其特征在于，硅单晶层为Si(100)基板。