[发明专利]显示设备在审
| 申请号: | 202010692926.7 | 申请日: | 2020-07-17 |
| 公开(公告)号: | CN112242427A | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
| 发明(设计)人: | 朴注灿;李善熙;金善浩;金显 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 郭艳芳;康泉 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 设备 | ||
1.一种显示设备,具有显示区域以及围绕所述显示区域布置的非显示区域,所述显示设备包括:
布置在所述显示区域中的像素;以及
沿着所述像素的一方向布置的像素内弯曲区域。
2.根据权利要求1所述的显示设备,进一步包括:
围绕所述像素中的每个布置的像素外弯曲区域。
3.根据权利要求1所述的显示设备,进一步包括:
穿过所述像素的扫描线,
其中所述像素内弯曲区域在与所述扫描线相同的方向上延伸。
4.根据权利要求3所述的显示设备,其中
所述像素中的每个包括第一晶体管和第三晶体管,并且
在平面图中,所述像素内弯曲区域布置在所述第一晶体管与所述第三晶体管之间。
5.根据权利要求4所述的显示设备,其中
所述第一晶体管包括第一半导体层和所述扫描线的第一栅电极,并且
所述第一半导体层在所述像素内弯曲区域中被断开。
6.根据权利要求5所述的显示设备,其中所述第一半导体层包括:
第一有源层;
布置在所述第一有源层的一侧的第一电极;和
布置在所述第一有源层的另一侧的第二电极,
其中所述第二电极在所述像素内弯曲区域中被断开。
7.根据权利要求5所述的显示设备,进一步包括:
第一基板;
布置在所述第一基板上的阻挡层;
布置在所述阻挡层上的缓冲层;
布置在所述缓冲层上的所述第一半导体层;
布置在所述第一半导体层上的绝缘层;以及
第一弯曲有机层,
其中所述第一弯曲有机层在所述像素内弯曲区域中穿透所述绝缘层和所述第一半导体层。
8.根据权利要求7所述的显示设备,其中所述第一弯曲有机层进一步穿透所述缓冲层,并且布置在所述阻挡层的表面上。
9.根据权利要求8所述的显示设备,其中所述第一弯曲有机层进一步穿透所述阻挡层,并且布置在所述第一基板的表面上。
10.根据权利要求7所述的显示设备,其中
所述像素内弯曲区域进一步包括布置在所述第一弯曲有机层上的像素内连接线,并且
所述像素内连接线电连接被断开的所述第一半导体层。
11.根据权利要求10所述的显示设备,其中所述像素内连接线和所述扫描线包括不同的材料。
12.根据权利要求11所述的显示设备,其中
所述像素内连接线包括铝,并且
所述扫描线包含钼。
13.根据权利要求10所述的显示设备,其中所述像素内连接线在与所述像素内弯曲区域的延伸方向相交的方向上延伸。
14.根据权利要求2所述的显示设备,其中
所述像素外弯曲区域布置在邻近的像素之间。
15.根据权利要求14所述的显示设备,进一步包括:
穿过所述像素的扫描线,
其中所述扫描线在所述像素外弯曲区域中被断开。
16.根据权利要求15所述的显示设备,进一步包括:
第一基板;
布置在所述第一基板上的阻挡层;
布置在所述阻挡层上的缓冲层;
布置在所述缓冲层上的所述扫描线;
布置在所述扫描线上的绝缘层;以及
第二弯曲有机层,
其中所述第二弯曲有机层在所述像素外弯曲区域中穿透所述绝缘层和所述扫描线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





