[发明专利]EDMOS器件结构有效
| 申请号： | 202010672175.2 | 申请日： | 2020-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN111710721B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 刘俊文 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | edmos 器件 结构 | ||
1.一种EDMOS器件结构，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底的上层掺杂形成第一导电类型高压阱；
轻掺杂第二导电类型漂移区，形成于第一导电类型高压阱的上层中；
第一导电类型体区，形成于所述第一导电类型高压阱的上层中，且与所述轻掺杂第二导电类型漂移区相邻；
栅极结构，形成于所述第一导电类型体区和轻掺杂第二导电类型漂移区的相邻界面上；
漏极，形成于所述轻掺杂第二导电类型漂移区中，远离所述栅极结构的一侧；
控制栅，设置在所述轻掺杂第二导电类型漂移区上，位于所述栅极结构和所述漏极之间，用于分散所述轻掺杂第二导电类型漂移区中的电场分布；
所述控制栅有多个，多个所述控制栅横向间隔分布，多个所述控制栅包括靠近所述栅极结构的第一控制栅，和靠近所述漏极的第二控制栅；
通过向所述第一控制栅施加的电压为1/2VDD，向所述第二控制栅施加的电压为VDD，所述VDD为工作电压，使得第二导电类型漂移区中的电场分布，在横向形成多梯度变化。
2.如权利要求1所述的EDMOS器件结构，其特征在于，包括：
在所述栅极结构与所述漏极之间设有金属硅化物阻挡层；
所述金属硅化物阻挡层，从所述漏极靠近所述栅极结构的一侧，延伸至，所述栅极结构靠近所述漏极的侧墙上。
3.如权利要求2所述的EDMOS器件结构，其特征在于，所述金属硅化物阻挡层覆盖所述控制栅的表面。
4.如权利要求1所述的EDMOS器件结构，其特征在于，所述第一导电类型体区中掺杂形成源极。
5.如权利要求4所述的EDMOS器件结构，其特征在于，在所述源极、漏极和栅极结构上表面覆盖有金属硅化物层。
6.如权利要求5所述的EDMOS器件结构，其特征在于，所述金属硅化物层上连有金属互连结构。
7.如权利要求1所述的EDMOS器件结构，其特征在于，在所述轻掺杂第二导电类型漂移区远离所述栅极结构的一侧，以及，所述第一导电类型体区远离所述栅极结构的一侧，分别设有隔离沟槽。
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