[发明专利]一种声表面波传感器和设备

权利要求书

1.一种声表面波传感器，其特征在于，包括：

压电晶体1，

输入叉指换能器2和输出叉指换能器3，并列设置在所述压电晶体1的第一表面上，所述第一表面为当压电晶体1安装在其它器件上时，与所述其它器件接触的表面相对一侧的表面；

SiO₂钝化薄层4，设置在所述压电晶体1的第二表面、所述输入叉指换能器2的第三表面和所述输出叉指换能器3的第三表面上，所述第二表面为所述第一表面的除与所述输入叉指换能器2和所述输出叉指换能器3相接触的表面，所述第三表面为所述输入叉指换能器2和所述输出叉指换能器3与所述第一表面相接触的表面相对一侧的表面；

两个吸声胶5，设置在所述SiO₂钝化薄层4的第四表面上，且所述两个吸声胶5中一个吸声胶设置在所述输入叉指换能器2的背离所述输出叉指换能器3的一端处，所述两个吸声胶5中另一个吸声胶设置在所述输出叉指换能器3的背离所述输入叉指换能器2的一端处，所述第四表面为所述SiO₂钝化薄层4与所述第二表面相接触的表面相对一侧的表面；

气敏薄膜6，设置在所述SiO₂钝化薄层4的所述第四表面上，且位于所述两个吸声胶5之间。

2.根据权利要求1所述的声表面波传感器，其特征在于，所述压电晶体1采用Y切35°X的石英晶体。

3.根据权利要求1所述的声表面波传感器，其特征在于，所述SiO₂钝化薄层4通过低温离子束溅射或高温等离子体增强化学气相沉积PECVD方式设置在在所述压电晶体1的第二表面、所述输入叉指换能器2的第三表面和所述输出叉指换能器3的第三表面上。

4.根据权利要求1所述的声表面波传感器，其特征在于，所述输入叉指换能器2和所述输出叉指换能器3均采用铝电极。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的声表面波传感器，其特征在于，所述输入叉指换能器2和所述输出叉指换能器3均采用单向单相换能器结构。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的声表面波传感器，其特征在于，所述输入叉指换能器2和所述输出叉指换能器3均包括至少一对叉指电极7和至少一个反射电极8；其中，所述输入叉指换能器2中每个反射电极8位于每对叉指电极7的远离所述输出叉指换能器3的一侧，所述输出叉指换能器3中每个反射电极8位于每对叉指电极7的远离所述输入叉指换能器2的一侧。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的声表面波传感器，其特征在于，所述叉指电极7的宽度为1/8λ，所述反射电极8宽度为1/4λ；其中，所述叉指电极7与所述叉指电极7之间的间距为1/8λ，所述反射电极8与所述叉指电极7之间的间距为3/16λ，所述λ为声波波长。

8.根据权利要求1-7任意一项所述的声表面波传感器，其特征在于，所述输入叉指换能器2的长度是所述输出叉指换能器3的3-4倍。

9.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述气敏薄膜6为聚合物或金属氧化物薄膜，通过旋涂或磁控溅射的方法设置在所述SiO₂钝化薄层4的所述第四表面上。

10.一种设备，其特征在于，包括至少一个权利要求1至权利要求9所述的声表面波传感器。