[发明专利]半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

设置在所述衬底上的缓冲层；

设置在所述缓冲层上远离所述衬底的一侧的势垒层；其中，所述缓冲层与所述势垒层的交界处形成有二维电子气；

设置在所述势垒层远离所述缓冲层一侧两端的第一电极以及第二电极；所述第一电极包括形成在所述势垒层上的第一欧姆接触电极，以及与所述第一欧姆接触电极短接的第一肖特基接触电极；所述第二电极包括形成在所述势垒层上的第二欧姆接触电极，以及与所述第二欧姆接触电极短接的第二肖特基接触电极；

设置在所述势垒层远离所述缓冲层的一侧，且位于所述第一电极及第二电极之间的钝化层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述势垒层远离所述缓冲层的一侧上包括刻蚀形成的第一凹槽和第二凹槽；部分所述第一欧姆接触电极位于所述第一凹槽内并与所述第一凹槽的底部相接触形成第一欧姆接触结构，部分所述第一肖特基接触电极位于所述第一凹槽内并与所述第一凹槽的底部相接触形成第一肖特基接触结构；部分所述第二欧姆接触电极位于所述第二凹槽内并与所述第二凹槽的底部相接触形成第二欧姆接触结构，部分所述第二肖特基接触电极位于所述第二凹槽内并与所述第二凹槽的底部相接触形成第二肖特基接触结构。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件的膝点电压与所述第一凹槽和所述第二凹槽的深度有关。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一肖特基接触电极与所述第二肖特基接触电极以所述半导体器件的垂直中线为轴线对称分布；所述第一欧姆接触电极与所述第二欧姆接触电极也以所述半导体器件的垂直中线为轴线对称分布；所述第一肖特基接触电极与所述第二肖特基接触电极位于所述第一欧姆接触电极与所述第二欧姆接触电极之间。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述缓冲层和所述势垒层形成异质结。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述缓冲层的材料包括GaN。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述势垒层的材料包括AlGaN。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述钝化层的材料包括SiN。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为双向恒流二极管。

10.一种半导体器件制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成缓冲层；

在所述缓冲层远离所述衬底的一侧形成势垒层；其中，所述缓冲层与所述势垒层之间形成有二维电子气；

对所述势垒层远离所述缓冲层的一侧的两端进行部分刻蚀，形成第一凹槽和第二凹槽；

在所述第一凹槽上形成第一电极，在所述第二凹槽上形成第二电极；所述第一电极包括形成在所述势垒层上的第一欧姆接触电极，以及与所述第一欧姆接触电极短接的第一肖特基接触电极；所述第二电极包括形成在所述势垒层上的第二欧姆接触电极，以及与所述第二欧姆接触电极短接的第二肖特基接触电极；

在所述势垒层远离所述缓冲层的一侧，且位于所述第一电极及第二电极之间形成钝化层。