[发明专利]含阴极缓冲层的反型钙钛矿太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010629349.7 申请日: 2020-07-02
公开(公告)号: CN111613727B 公开(公告)日: 2022-09-09
发明(设计)人: 杨上峰;方志敏;李丹 申请(专利权)人: 中国科学技术大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 230026 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 阴极 缓冲 反型钙钛矿 太阳能电池 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种反型钙钛矿太阳能电池,包括:

衬底;

空穴传输层,设置在衬底上;

钙钛矿光活性层,设置在空穴传输层上;

电子传输层,设置在钙钛矿光活性层上;

阴极缓冲层,设置在电子传输层上,所述阴极缓冲层采用的材料为咪唑功能化的富勒烯衍生物;

阴极,设置在阴极缓冲层上;

其中,所述阴极缓冲层是在所述电子传输层上旋涂所述咪唑功能化的富勒烯衍生物溶液得到的。

2.根据权利要求1所述的反型钙钛矿太阳能电池,其特征在于,

所述咪唑功能化的富勒烯衍生物包括C60-IMAZ;

所述衬底采用的材料包括导电玻璃氧化铟锡;

所述空穴传输层采用的材料包括聚(3,4-乙烯基二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸盐);

所述钙钛矿光活性层采用的材料包括甲胺铅碘钙钛矿;

所述电子传输层采用的材料包括6,6-苯基碳61丁酸甲酯。

3.根据权利要求1所述的反型钙钛矿太阳能电池,其特征在于,

C60-IMAZ层的厚度为3至14nm;

所述空穴传输层的厚度为30至50nm;

所述阴极的厚度为60至100nm。

4.根据权利要求3所述的反型钙钛矿太阳能电池,其特征在于,

所述C60-IMAZ层的厚度为6至11nm;

所述空穴传输层的厚度为40nm。

5.根据权利要求4所述的反型钙钛矿太阳能电池,其特征在于,

所述C60-IMAZ层的厚度为8nm。

6.根据权利要求1所述的反型钙钛矿太阳能电池,其特征在于,

所述咪唑功能化的富勒烯衍生物溶液包括C60-IMAZ溶液;

其中,所述C60-IMAZ溶液浓度为0.2至1mg/mL;

其中,所述C60-IMAZ溶液为C60-IMAZ的甲醇溶液。

7.根据权利要求6所述的反型钙钛矿太阳能电池,其特征在于,

所述C60-IMAZ溶液浓度为0.4至0.8mg/mL。

8.一种反型钙钛矿太阳能电池的制备方法,包括:

在衬底上制备空穴传输层;

在空穴传输层上制备钙钛矿光活性层;

在钙钛矿光活性层上制备电子传输层;

在电子传输层制备如权利要求1、6、7任一项所述的阴极缓冲层;

在阴极缓冲层上形成金属阴极,得到所述反型钙钛矿太阳能电池。

9.如权利要求1至7任一项所述的反型钙钛矿太阳能电池或如权利要求8所述制备方法得到的反型钙钛矿太阳能电池在太阳能电池领域的应用。

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