[发明专利]在沉积腔室制造期间的微粒物的实时检测

权利要求书

1.一种方法，包括：

用入射光束照射沉积腔室的区域；

通过检测源自所述沉积腔室的照射区域的散射光的强度来收集光散射数据，其中所述散射光是在所述入射光束与所述沉积腔室的所述照射区域内的微粒相互作用时产生的；和

基于所述光散射数据，确定在所述沉积腔室的所述照射区域内的微粒的分布。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述沉积腔室的所述照射区域内的所述微粒的分布由一个或多个所述微粒的位置表示。

3.根据权利要求1所述的方法，其中由在所述沉积腔室的所述照射区域内的一个或多个位置处的所述微粒的密度来表示在所述沉积腔室的所述照射区域内的所述微粒的分布。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述入射光束是由激光源产生的。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述入射光束被旋转镜反射。

6.根据权利要求1所述的方法，其中照射所述沉积腔室的所述区域的所述入射光束通过柱面透镜。

7.根据权利要求1所述的方法，其中检测所述散射光的强度包括：用相机收集所述散射光的至少一部分。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述入射光束穿过所述沉积腔室的第一窗，并且其中检测所述散射光的强度包括：收集通过所述沉积腔室的第二窗离开所述沉积腔室的所述散射光的至少一部分。

9.根据权利要求1所述的方法，其中照射所述沉积腔室的所述区域包括：

用所述入射光束照射所述沉积腔室的所述区域的第一子区域；

将所述光束重定位到所述沉积腔室的所述区域的第二子区域；和

用所述入射光束照射所述沉积腔室的所述区域的所述第二子区域。

10.根据权利要求1所述的方法，其中在所述沉积腔室内执行工艺以在晶片上生长材料，所述方法进一步包括：

基于所述沉积腔室的所述照射区域内的所述微粒的分布，估计在所述沉积腔室中的所述晶片上生长的所述材料的质量。

11.一种方法，包括：

用第一入射光束照射沉积腔室的区域；

用第二入射光束照射所述沉积腔室的所述区域，其中与由所述第一入射光束对所述区域的至少一部分的照射的均匀性相比，所述第二入射光束被定位成提高所述区域的所述部分的照射的均匀性；

通过检测源自所述沉积腔室的所述照射区域的散射光的强度来收集光散射数据，其中所述散射光是在所述第一入射光束或所述第二入射光束中的至少一个与所述沉积腔室的所述照射区域内的微粒相互作用时产生的；和

基于所述光散射数据，确定所述沉积腔室的所述照射区域内的所述微粒的分布。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一入射光束是由第一激光源产生的，并且所述第二入射光束是由第二激光源产生的。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一入射光束由第一柱面透镜扩展，并且所述第二入射光束由第二柱面透镜扩展。

14.根据权利要求11所述的方法，进一步包括基于所述沉积腔室的所述照射区域内的所述微粒的分布来估计在所述沉积腔室中生长的材料的质量。