[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202010621801.5 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111739802A | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 龚昌鸿;李先涛;胡秀梅;陈建勋;胡展源 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐伟 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有非晶硅层；
在所述非晶硅层上形成刻蚀辅助层，所述刻蚀辅助层的上表面平整，所述刻蚀辅助层为单一材质；以及
对所述非晶硅层以及所述刻蚀辅助层进行刻蚀，以获得目标厚度的非晶硅层，刻蚀后的非晶硅层的上表面平整。
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述刻蚀辅助层进一步包括：
在所述非晶硅层上依次形成第一层和第二层；
以所述第一层为停止层平坦化所述第二层的上表面；以及
将所述第一层的材质转化为所述第二层的材质。
3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述第一层为硅缓冲层，所述第二层为氧化硅层。
4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，对所述硅缓冲层进行高温氧化，以将所述硅缓冲层转化为氧化硅层。
5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述高温氧化的温度范围为500-1100℃。
6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述高温氧化的温度范围为800-900℃。
7.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，采用炉管热反应沉积形成所述硅缓冲层。
8.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，采用高密度等离子体或高纵宽比工艺或等离子体增强技术沉积形成所述氧化硅层。
9.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，采用对所述第一层和所述第二层具有选择比的试剂，通过化学机械研磨平坦化所述第二层。
10.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述第一层的厚度为10-30埃。
11.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述第二层的厚度为350-2000埃。
12.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述刻蚀为等向性刻蚀。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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