[发明专利]一种铜基织构薄膜衬底上制备石墨烯单晶晶圆的方法有效
| 申请号： | 202010620665.8 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111705359B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 张学富;吴天如;王浩敏;于庆凯;谢晓明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/02;C23C14/35;C23C14/18 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 余永莉 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 铜基织构 薄膜 衬底 制备 石墨 烯单晶晶圆 方法 | ||
1.一种铜基织构薄膜衬底上制备石墨烯单晶晶圆的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：通过采用磁控溅射法于常温下在蓝宝石的表面沉积制备提供一种铜基织构薄膜衬底，所述铜基织构薄膜衬底由主体元素铜和辅助元素镍构成，其中，铜是必需元素，辅助元素镍的原子数占所述铜基织构薄膜衬底的原子总数比是15%，将所述铜基织构薄膜衬底置于化学气相沉积系统中在氩气、氢气气体氛围中进行退火处理，退火温度为1000℃，退火时间为60min，氩气和氢气流量比为（50sccm～500sccm）:（10sccm～100sccm），经过退火处理后的铜基织构薄膜衬底的XRD取向图谱如说明书附图图4所示的铜基（111）织构薄膜，面外取向是（111）择优取向，面内晶畴间呈60度夹角；以及
S2：通入气态碳源，在步骤S1）经过退火处理得到的铜基织构薄膜衬底表面外延生长石墨烯单晶晶圆，石墨烯的生长温度为1000℃，生长时间为10min，氩气和氢气流量比为（50sccm～500sccm）:（10sccm～100sccm），生长石墨烯的气态碳源为甲烷、乙烷、乙炔、乙烯中的一种或任意组合。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S1中，所述铜基织构薄膜衬底的厚度为10nm～3000 nm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S2中，生长石墨烯的气态碳源为甲烷、乙烷、乙炔、乙烯中的一种或任意组合。
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