[发明专利]阵列基板及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010603766.4 申请日: 2020-06-29
公开(公告)号: CN111653687A 公开(公告)日: 2020-09-11
发明(设计)人: 张盼龙 申请(专利权)人: 云谷(固安)科技有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77
代理公司: 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 代理人: 赵文静
地址: 065500 河*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 制备 方法
【说明书】:

本申请提供了一种阵列基板及其制备方法。该阵列基板包括:衬底、金属隔离层和保护层。其中,衬底包括显示区和非显示区;金属隔离层位于非显示区,且围合形成一个开孔区域;保护层至少包覆金属隔离层的侧壁。由于保护层至少包覆金属隔离层的侧壁,可以避免后续对电极层进行刻蚀的过程中,刻蚀溶液与金属隔离层的侧壁发生置换反应,从而避免置换反应产生的金属颗粒影响阵列基板的正常工作,进而避免置换反应产生的金属颗粒造成的显示不良。

技术领域

发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

随着电子设备的快速发展,用户对屏占比的要求越来越高,电子设备的全面屏显示受到业界越来越多的关注。

传统技术中,一般通过在显示面板上开孔增大屏占比。显示面板的开孔区域内可以设置摄像头、听筒以及红外感应器等。

但是,传统的开孔技术容易引起显示面板的显示不良。

发明内容

基于此,有必要针对传统技术中开孔容易引起显示面板显示不良的问题,提供一种阵列基板及其制备方法。

本申请一方面提供了一种阵列基板,包括:衬底,包括显示区和非显示区;金属隔离层,位于所述非显示区,且所述金属隔离层围合形成一个开孔区域;保护层,至少包覆所述金属隔离层的侧壁。

在其中一个实施例中,所述保护层包括有机膜层和无机膜层中的至少一种。提供了保护层的可实施方式。

在其中一个实施例中,所述保护层的厚度范围为200埃至400埃。在起到保护金属隔离层的基础上可节约原料。

在其中一个实施例中,所述保护层的材料包括铟锡氧化物。提供了保护层的一种可实施方式。

在其中一个实施例中,所述金属隔离层包括层叠的第一金属层和第二金属层,所述第二金属层位于所述第一金属层远离所述衬底的一侧,所述第一金属层的材料包括铝;所述保护层至少包覆所述第一金属层的侧壁。保护层包覆所述第一金属层的侧壁即可,在节约原料的基础上可有效简化制作工艺。

在其中一个实施例中,所述第一金属层在垂直所述衬底方向上的纵向剖面呈矩形或梯形。提供了第一金属层的一种可实施方式。

在其中一个实施例中,所述保护层与所述衬底相围合,以完全包覆所述金属隔离层。本实施例中的保护层可完全保护金属隔离层。

本申请另一方面提供了一种阵列基板的制备方法,包括:提供衬底,所述衬底包括显示区和非显示区;在所述非显示区形成金属隔离层,所述金属隔离层围合形成开孔区域;形成保护层,所述保护层至少包覆所述金属隔离层的侧壁。

在其中一个实施例中,所述形成保护层,所述保护层至少包覆所述金属隔离层的侧壁,包括:形成保护层,所述保护层与所述衬底相围合,以完全包覆所述金属隔离层。

在其中一个实施例中,所述形成保护层,所述保护层至少包覆所述金属隔离层的侧壁,包括:形成铟锡氧化物薄膜,所述铟锡氧化物薄膜与所述衬底相围合,以包覆所述金属隔离层;对所述铟锡氧化物薄膜进行刻蚀,去除所述金属隔离层远离所述衬底的表面上覆盖的所述铟锡氧化物薄膜;对所述铟锡氧化物薄膜进行烘烤,形成多晶结构的保护层。

本申请提供了一种阵列基板及其制备方法,该阵列基板包括:衬底、金属隔离层和保护层。其中,衬底包括显示区和非显示区;金属隔离层位于非显示区,且围合形成一个开孔区域;保护层至少包覆金属隔离层的侧壁。由于保护层至少包覆金属隔离层的侧壁,可以避免后续对在衬底上形成的电极层进行刻蚀的工艺过程中刻蚀溶液与金属隔离层的侧壁发生置换反应,从而避免置换反应产生的金属颗粒影响阵列基板的正常工作,进而避免置换反应产生的金属颗粒造成的显示不良的问题。

附图说明

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