[发明专利]微机电系统装置及其制造方法

权利要求书

1.一种制造微机电系统装置的方法，其特征在于，包括：

在一基底层上形成多个压电薄膜及多个金属薄膜的一堆叠，其中所述多个压电薄膜及所述多个金属薄膜以一交替方式配置；

在所述多个压电薄膜及所述多个金属薄膜的该堆叠中蚀刻一第一沟槽；

在该第一沟槽的一侧壁形成至少一孔隙；

在该至少一孔隙中形成一间隔结构；以及

在形成该间隔物结构之后，在该第一沟槽中形成一接触件。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中形成至少一孔隙，使得该孔隙位于所述多个压电薄膜中至少一者的一顶部部分，所述多个金属薄膜中的一金属薄膜形成在所述多个压电薄膜中该至少一者上。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中在该至少一孔隙中形成该间隔结构，包括：

在该第一沟槽的该侧壁上形成该间隔结构的一薄膜，其中该间隔结构填充在该第一沟槽的该侧壁的该至少一孔隙；以及

移除该第一沟槽的该侧壁上的该间隔结构的该薄膜，但保留在该第一沟槽的该侧壁的该至少一孔隙中的该间隔结构。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该第一沟槽不穿透所述多个压电薄膜及所述多个金属薄膜的该堆叠，且该方法进一步包括：

在该第一沟槽下方形成一第二沟槽以暴露该基底层，

其中该接触件覆盖该第一沟槽的该侧壁、该第二沟槽的一侧壁和该第二沟槽暴露的部分该基底层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括在一基底压电薄膜上形成一基底金属薄膜来制备该基底层，其中所述多个压电薄膜及所述多个金属薄膜的该堆叠形成在该基底金属薄膜上。

6.一种制造微机电系统装置的方法，其特征在于，包括：

在一基底层上沉积一第一压电薄膜；

在该第一压电薄膜的一第一顶部部分中形成非晶形结构；

在该第一压电薄膜的该第一顶部部分上形成一第一金属薄膜；

图案化该第一金属薄膜，以暴露该第一压电薄膜的该第一顶部部分；

在该第一压电薄膜中蚀刻一第一沟槽；

在该第一沟槽的一侧壁形成一第一孔隙，其中该第一孔隙位于该第一顶部部分；

在该第一孔隙中形成一间隔结构；及

在该第一沟槽中形成一接触件。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，其中形成该第一沟槽是透过进行一干蚀刻制程，且形成该第一孔隙是透过进行一湿刻蚀制程。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，其中在该第一压电薄膜的该第一顶部部分中形成非晶形结构，是透过在该第一压电薄膜上执行一电浆处理；

其中在形成该第一金属薄膜之前执行该电浆处理。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，进一步包括：

在该第一金属薄膜上形成一第二压电薄膜；

在该第二压电薄膜的一第二顶部部分中形成非晶形结构；

在该第二压电薄膜的该第二顶部部分上形成一第二金属薄膜；

图案化该第二金属薄膜，以暴露该第二压电薄膜的该第二顶部部分，其中在该第一压电薄膜及该第二压电薄膜中形成该第一沟槽，且一第二孔隙位于该第二顶部部分；以及

在该第二孔隙中形成该间隔结构。

10.一种微机电系统装置，其特征在于，包括：

一基底层；

多个压电薄膜及多个金属薄膜的一堆叠，形成在该基底层上，所述多个压电薄膜及所述多个金属薄膜以一交替方式配置，其中各该金属薄膜包括一远端部分相邻于所述多个压电薄膜的侧壁，且所述多个金属薄膜的所述多个远端部分中的至少一者不与所述多个压电薄膜接触；

一间隔结构，相邻于不与所述多个压电薄膜接触的所述多个远端部分中的该至少一者；以及

一接触件，覆盖所述多个压电薄膜及所述多个金属薄膜的该堆叠的侧壁并覆盖该基底层的一部分。