[发明专利]制备共面型铟镓锌氧薄膜晶体管的方法及薄膜晶体管

权利要求书

1.一种制备共面型铟镓锌氧薄膜晶体管的方法，其特征在于，所述方法包括：

在绝缘层衬底上形成铟镓锌氧薄膜作为有源层；

在所述有源层上形成栅介质层；

在所述栅介质层上形成栅电极；

根据所述栅电极的图形，对所述栅介质层进行图形化；

对所述有源层进行图形化；

在所述绝缘层衬底和所述有源层上形成源漏电极；

在所述绝缘层衬底、所述有源层、所述栅介质层、所述栅电极和所述源漏电极上形成钝化层；

对所述源漏电极和栅电极上方的所述钝化层进行图形化，形成通孔，以露出所述源漏电极和所述栅电极的部分区域，形成所述共面型铟镓锌氧薄膜晶体管。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在绝缘层衬底上形成铟镓锌氧薄膜，包括：

采用磁控溅射方法在所述绝缘层衬底上生长所述铟镓锌氧薄膜。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述有源层上形成栅介质层，包括：

通过化学气相沉积法在所述有源层上生长所述栅介质层，且生长温度为100℃-300℃。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述栅介质层上形成栅电极，包括：

采用电子束蒸发方法生长栅电极层，并采用剥离工艺对所述栅电极层进行图形化，形成所述栅电极。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述栅电极的图形，对所述栅介质层进行图形化，包括：

根据所述栅电极的图形，采用自对准工艺并通过干法刻蚀，对所述栅介质层进行图形化。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述有源层进行图形化，包括：

采用湿法刻蚀工艺，利用旋涂光刻胶被曝光后留下的图案作为掩蔽，对所述有源层进行图形化。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述绝缘层衬底和所述有源层上形成源漏电极，包括：

通过电子束蒸发的方法生长所述源漏电极，并采用剥离工艺对所述源漏电极进行图形化。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述绝缘层衬底、所述有源层、所述栅介质层、所述栅电极和所述源漏电极上形成钝化层，包括：

采用化学气相沉积法在所述绝缘层衬底、所述有源层、所述栅介质层、所述栅电极和所述源漏电极上生长所述钝化层，且生长温度为100℃-300℃。

9.一种共面型铟镓锌氧薄膜晶体管，其特征在于，应用权利要求1-8中任一权利要求所述的方法制备获得，包括：

绝缘层衬底；

形成在所述绝缘层衬底上的铟镓锌氧薄膜，所述铟镓锌氧薄膜为有源层；

形成在所述有源层上的栅介质层；

形成在所述栅介质层上的栅电极；

在顺次对所述栅介质层和所述有源层图形化后，形成在所述绝缘层衬底和所述有源层上形成的源漏电极；

在所述绝缘层衬底、所述有源层、所述栅介质层、所述栅电极和所述源漏电极上形成的钝化层，所述钝化层包含在所述源漏电极和栅电极上方形成的通孔，以露出所述源漏电极和所述栅电极的部分区域。

10.如权利要求9所述的共面型铟镓锌氧薄膜晶体管，其特征在于：

所述绝缘层衬底为玻璃衬底，其厚度为0.3mm-3mm；

所述有源层的厚度为20nm-100nm；

所述栅介质层为SiO₂或High-K材料，其厚度为100nm-300nm；

所述栅电极包括Mo、Ti、Pt、Au、Cu和Ag中的至少一种，其厚度为50nm-200nm；

所述源漏电极包括Mo、Ti、Pt、Au、Cu、Ag中的至少一种，其厚度为50-200nm；

所述钝化层包括SiO₂和SiN_x中的至少一种，其厚度为20nm-500nm。