[发明专利]一种芯片结构及其制作方法、显示装置

说明书

本发明提供一种芯片结构及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，为解决现有技术很难实现高分辨率的Micro LED显示装置的问题。所述一种芯片结构，其特征在于，包括：基底，设置于所述基底上的微型发光二极管和驱动晶体管，所述驱动晶体管的第一极与所述微型发光二极管的第一电极耦接。本发明提供的芯片结构用于发光。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种芯片结构及其制作方法、显示装置。

背景技术

Micro LED(微型发光二极管)显示器件是新一代显示技术，具有高亮度，高发光效率，低功耗，响应速度快等优点。在将Micro LED应用于大尺寸显示装置中时，一般是将多个Micro LED批量转移至形成有驱动电路的玻璃衬底上。但是由于驱动电路中驱动晶体管具有阈值电压偏移的特点，为保证Micro LED发光均一性，玻璃衬底上需要形成复杂的补偿电路，从而导致很难实现高分辨率的Micro LED显示装置。

发明内容

本发明的目的在于提供一种芯片结构及其制作方法、显示装置，用于解决现有技术很难实现高分辨率的Micro LED显示装置的问题。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

本发明的第一方面提供一种芯片结构，包括：基底，设置于所述基底上的微型发光二极管和驱动晶体管，所述驱动晶体管的第一极与所述微型发光二极管的第一电极耦接。

可选的，所述微型发光二极管包括：沿远离所述基底的方向依次层叠设置在所述基底上的：第一电流扩展层、发光功能层和第二电流扩展层；还包括位于所述第二电流扩展层背向所述基底的一侧的第二电极；

所述驱动晶体管包括：

设置于所述第一电流扩展层背向所述基底的一侧的第一有源层；

设置于所述第一有源层背向所述基底的一侧的第三电流扩展层；

设置于所述第三电流扩展层背向所述基底的一侧的第二极和第一栅极，所述第二极与所述第三电流扩展层耦接，所述第一栅极与所述第三电流扩展层绝缘；

所述第一电流扩展层复用为所述第一电极和所述第一极。

可选的，所述微型发光二极管还包括：第一补偿电极，所述第一补偿电极位于所述第二电流扩展层与所述第二电极之间，所述第二电极通过所述第一补偿电极与所述第二电流扩展层耦接；

所述驱动晶体管还包括：第二补偿电极，所述第二补偿电极位于所述第三电流扩展层与所述第二极之间，所述第二极通过所述第二补偿电极与所述第三电流扩展层耦接。

可选的，所述芯片结构还包括开关晶体管，所述开关晶体管包括：

设置于所述基底上的第四电流扩展层；

设置于所述第四电流扩展层背向所述基底的一侧的第二有源层；

设置于所述第二有源层背向所述基底的一侧的第五电流扩展层；

设置于所述第五电流扩展层背向所述基底的一侧的第三补偿电极；

设置于所述第四电流扩展层背向所述基底的表面的第三极，所述第三极与所述驱动晶体管的第一栅极耦接；

设置于所述第三补偿电极背向所述基底的一侧的第四极和第二栅极，所述第四极与所述第三补偿电极耦接，所述第二栅极与所述第三补偿电极绝缘。

可选的，所述芯片结构还包括：

设置于所述基底背向所述微型发光二极管的一侧的反射层；或者，

设置于所述第二电流扩展层背向所述基底的一侧的反射层。