[发明专利]薄膜的制造方法在审
| 申请号： | 202010580125.1 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN112225171A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 粕谷仁一;多田一成;水町靖 | 申请（专利权）人： | 柯尼卡美能达株式会社 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G02B1/11;G02B1/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈蕴辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 制造 方法 | ||
1.一种薄膜的制造方法，是具有细孔的薄膜的制造方法，其特征在于，
在基板上形成薄膜之后，在该薄膜上依次层叠至少由自组织化材料构成的第一掩模和与所述第一掩模相比对反应性蚀刻处理或物理蚀刻处理具有高耐性的第二掩模，通过干蚀刻处理在所述薄膜上形成细孔。
2.如权利要求1所述的薄膜的制造方法，其特征在于，
在形成所述第一掩模和所述第二掩模之后，实施扩大间隙的处理，使具有露出所述薄膜的孔部的所述第一掩模中该孔部之间的间隙扩大。
3.如权利要求2所述的薄膜的制造方法，其特征在于，
扩大所述第一掩模的间隙的处理是在100℃以上的温度下保持1分钟以上的退火处理。
4.如权利要求1～3中任一项所述的薄膜的制造方法，其特征在于，
所述自组织化材料为银。
5.如权利要求1～4中任一项所述的薄膜的制造方法，其特征在于，
所述第一掩模具有颗粒状、叶脉状或多孔状的形状部分。
6.如权利要求1～5中任一项所述的薄膜的制造方法，其特征在于，
使所述第一掩模的膜厚在1～100nm的范围内。
7.如权利要求1～6中任一项所述的薄膜的制造方法，其特征在于，
作为形成所述第二掩模的材料，使用选自Ta2O5与TiO2混合物、ZnS、LaF、YF、CeF、WO以及SiO2中的至少一种。
8.如权利要求1～6中任一项所述的薄膜的制造方法，其特征在于，
作为形成所述第二掩模的材料，使用Ta2O5与TiO2的混合物或ZnS。
9.如权利要求1～8中任一项所述的薄膜的制造方法，其特征在于，
使所述第二掩模的膜厚在0.1～10nm的范围内。
10.如权利要求1～9中任一项所述的薄膜的制造方法，其特征在于，
通过真空蒸镀法形成所述第一掩模和所述第二掩模。
11.如权利要求1～10中任一项所述的薄膜的制造方法，其特征在于，
所述薄膜以SiO2为主成分而构成。
12.如权利要求1～11中任一项所述的薄膜的制造方法，其特征在于，
在所述基板与所述薄膜之间具有光催化剂层，该光催化剂层至少含有TiO2、WO3、ZnS及ZnO中的至少一种。
13.如权利要求1～12中任一项所述的薄膜的制造方法，其特征在于，
在所述基板与所述薄膜之间，形成具有至少一层的低折射率层和至少一层的高折射率层的防反射层单元。
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