[发明专利]包括具有屏蔽区域的传导板的存储器装置在审

专利信息
申请号: 202010580068.7 申请日: 2020-06-23
公开(公告)号: CN112151508A 公开(公告)日: 2020-12-29
发明(设计)人: 柳忠显;郭仁燮;具珉佑 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552;H01L23/373
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘林果;尹淑梅
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 包括 具有 屏蔽 区域 传导 存储器 装置
【权利要求书】:

1.一种存储器装置,所述存储器装置包括:

模块板,在模块板上设置有一个或更多个半导体器件;

传导板,安装在模块板的第一侧上,其中,传导板包括屏蔽区域和非屏蔽区域;以及

垫,设置在传导板的屏蔽区域中。

2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,传导板包括形成在传导板上的第一屏蔽壁结构,并且

其中,屏蔽区域和非屏蔽区域被第一屏蔽壁结构分开。

3.根据权利要求2所述的存储器装置,其中,第一屏蔽壁结构包括屏蔽壁接触部分,屏蔽壁接触部分形成为使得屏蔽壁接触部分的第一侧与模块板直接接触,并且

其中,屏蔽壁接触部分至少部分地围绕所述一个或更多个半导体器件。

4.根据权利要求2所述的存储器装置,所述存储器装置还包括:

传导背板,安装在模块板的第二侧上,

其中,传导背板包括形成为与第一屏蔽壁结构叠置的第二屏蔽壁结构。

5.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,所述一个或更多个半导体器件包括存储器控制器,并且

其中,存储器控制器在屏蔽区域中设置在模块板的第一侧上。

6.根据权利要求5所述的存储器装置,其中,垫在传导板上形成在与存储器控制器至少部分地叠置的位置处。

7.根据权利要求5所述的存储器装置,其中,垫的第一侧与存储器控制器直接接触,并且垫的第二侧与传导板直接接触。

8.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,所述一个或更多个半导体器件包括缓冲存储器和非易失性存储器,并且

其中,缓冲存储器被包括在屏蔽区域中,并且非易失性存储器被包括在非屏蔽区域中。

9.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,垫包括电磁干扰吸收层和/或热界面材料层,电磁干扰吸收层用于所述一个或更多个半导体器件的静电放电屏蔽,热界面材料层用于模块板的散热。

10.根据权利要求9所述的存储器装置,其中,垫包括:

热界面材料层,具有第一厚度;以及

电磁干扰吸收层,设置在热界面材料层上并且具有比第一厚度小的第二厚度。

11.根据权利要求9所述的存储器装置,其中,垫包括:

电磁干扰吸收层,具有第一厚度;以及

热界面材料层,设置在电磁干扰吸收层上并且具有比第一厚度小的第二厚度。

12.根据权利要求9所述的存储器装置,其中,电磁干扰吸收层以形成在电磁干扰吸收层的下表面与所述一个或更多个半导体器件的上表面之间的预定间隙设置在所述一个或更多个半导体器件上。

13.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,垫具有在所述一个或更多个半导体器件的宽度的0.9倍至1.5倍的范围内的宽度。

14.一种存储器装置,所述存储器装置包括:

模块板,在模块板上设置有存储器控制器;以及

传导背板,安装在模块板的第一侧上,

其中,传导背板包括屏蔽区域和非屏蔽区域,并且

其中,存储器控制器设置在屏蔽区域中。

15.根据权利要求14所述的存储器装置,其中,在模块板上进一步设置有缓冲存储器和非易失性存储器,并且

其中,缓冲存储器设置在屏蔽区域中,并且非易失性存储器设置在非屏蔽区域中。

16.根据权利要求14所述的存储器装置,其中,屏蔽区域从传导背板的表面凹陷。

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