[发明专利]半导体存储器装置

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：

基底，具有存储器单元区、外围区以及在存储器单元区与外围区之间的坝区，存储器单元区根据俯视图具有矩形形状，并且存储器单元区具有限定在其中的多个有源区；

多个位线结构，在存储器单元区中在基底上延伸以在第一水平方向上彼此平行，每个位线结构包括位线；

多个掩埋接触件，填充基底上的所述多个位线结构之间的空间的下部；

多个接合垫，位于所述多个掩埋接触件上；以及

坝结构，包括在坝区中的第一坝结构和第二坝结构，并且与所述多个接合垫位于同一水平处，

其中，第一坝结构具有在第一水平方向上延伸的线形状，并且

其中，第二坝结构与第一坝结构分离并且具有在与第一水平方向垂直的第二水平方向上延伸的线形状，第一坝结构与第二坝结构之间具有第一坝开口。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，第一坝结构的顶表面的相对的边在第一水平方向上以直线延伸，并且第二坝结构的顶表面的相对的边在第二水平方向上以直线延伸，所述相对的边分别面对存储器单元区和外围区。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个接合垫中的每个接合垫具有具备圆盘形状的顶表面，并且

其中，所述多个接合垫以蜂窝图案在第一水平方向或第二水平方向上布置为之字形。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，第一坝结构沿着存储器单元区的矩形形状的在第一水平方向上延伸的边布置，并且

其中，第二坝结构沿着存储器单元区的矩形形状的在第二水平方向上延伸的边延伸。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，第一坝结构和第二坝结构中的每个坝结构具有通过第二坝开口彼此分离的多个部分，

其中，第一坝结构的所述多个部分顺序地布置在第一水平方向上，并且

其中，第二坝结构的所述多个部分顺序地布置在第二水平方向上。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，第一坝开口和第二坝开口中的每个坝开口具有1μm至5μm的宽度。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个掩埋接触件包括多个第一虚设掩埋接触件和多个第二虚设掩埋接触件，

其中，所述多个第一虚设掩埋接触件中的每个第一虚设掩埋接触件具有与第一坝结构的底表面接触的顶表面，

其中，所述多个第二虚设掩埋接触件中的每个第二虚设掩埋接触件具有与第二坝结构的底表面接触的顶表面，

其中，所述多个第一虚设掩埋接触件与所述多个有源区中相应的有源区电分离，并且

其中，所述多个第二虚设掩埋接触件与所述多个有源区中相应的有源区接触。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：

虚设位线结构，在第二水平方向上在基底上延伸，

其中，第二坝结构从所述多个第二虚设掩埋接触件的顶表面延伸到虚设位线结构的顶表面。

9.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，其中，在第一水平方向上，虚设位线结构的宽度比所述多个位线结构中的每个位线结构的宽度大。

10.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：

多个电容器结构，形成在存储器单元区中，

其中，所述多个电容器结构由上电极、电连接到所述多个接合垫的多个下电极以及在上电极与所述多个下电极之间的电容器介电膜形成，并且

其中，坝结构不电连接到所述多个接合垫。