[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010578084.2 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN112151597A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 萧锦涛;邱奕勋 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L27/11 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：
一源极区域和一漏极区域其形成在高于一基板；
一埋入的绝缘体层其形成在该源极区域或该漏极区域任一者下方且高于该基板；以及
一第一纳米片其形成(i)在水平方向上介于该源极区域和该漏极区域之间，并且(ii)在垂直方向上高于该埋入的绝缘体层。
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