[发明专利]在一电镀处理器中于电化学电镀后减少或消除数个沉积物的方法有效
| 申请号： | 202010576751.3 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN112111767B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 艾里克·J·伯格曼;斯图尔特·克兰;特里西亚·A·扬布尔;蒂莫西·G·斯托特 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12;C25D17/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电镀 处理器 电化学 减少 消除 沉积物 方法 | ||
1.一种在电化学电镀期间减少一半导体电化学电镀设备中或其一表面的多个不溶解沉积物的形成的方法，所述方法包括：
从一电镀液移除所述半导体电化学电镀设备或其一表面，其中残留电镀液系设置于所述半导体电化学电镀设备或其一表面上，及其中所述残留电镀液系具有一第一酸碱度(pH)；
接触所述残留电镀液于一清洗剂，以形成一清洗液，所述清洗剂具有一第二酸碱度，其中所述第二酸碱度在所述第一酸碱度的正或负的0.2至2.0的pH值中；以及
从所述半导体电化学电镀设备或其一表面移除所述清洗液。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一酸碱度系等同于所述第二酸碱度。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一酸碱度系为2至5，及所述第二酸碱度系为2至5。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述清洗剂系为一无机酸(mineral acid)或有机酸。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述第一酸碱度系为8至10，及所述第二酸碱度系为8至10。
6.如权利要求1所述的方法，其中在足以避免多个有机金属或金属前驱物自所述清洗液沉淀的多个条件下，应用所述清洗剂。
7.如权利要求1所述的方法，其中在维持所述残留电镀液的所述第一酸碱度的多个条件下，应用所述清洗剂。
8.如权利要求1所述的方法，其中接触所述清洗剂于所述残留电镀液系致使所述半导体电化学电镀设备中或其一表面的所述不溶解沉积物的形成减少。
9.如权利要求1所述的方法，其中所述表面系设置于一密封件上。
10.一种减少或消除于一电化学电镀设备中的多个表面上的多个导电沉积物的形成的方法，包括接触一酸性清洗剂于包括电解质之一或多个表面，以形成一酸性清洗液；及使所述酸性清洗液流动离开所述一或多个表面，
其中所述电解质具有第一酸碱度，其中所述酸性清洗剂在所述第一酸碱度的正或负的0.2至2.0的pH值中。
11.如权利要求10所述的方法，其中所述第一酸碱度等同于所述酸性清洗剂。
12.如权利要求10所述的方法，其中所述电解质具有2至5的一酸碱度，及所述酸性清洗剂具有2至5的一酸碱度。
13.如权利要求10所述的方法，其中所述酸性清洗剂系为一无机酸(mineral acid)或有机酸。
14.如权利要求10所述的方法，其中所述酸性清洗剂系为碳酸(carbonic acid)。
15.如权利要求10所述的方法，其中在足以避免多个有机金属或金属前驱物自所述酸性清洗液沉淀的多个条件下，应用所述酸性清洗剂。
16.如权利要求10所述的方法，其中在维持所述电解质的酸碱度的多个条件下，应用所述酸性清洗剂。
17.如权利要求10所述的方法，其中接触所述酸性清洗剂于所述电解质系致使电化学电镀设备中的所述表面的所述导电沉积物的形成减少。
18.如权利要求17所述的方法，其中所述表面系设置于一密封件上。
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