[发明专利]一种钽酸锂薄膜波导声光调制器

权利要求书

1.一种钽酸锂薄膜波导声光调制器，其特征在于：由压电材料、光波导和压电换能器构成，所述光波导为LT薄膜光波导，所述压电换能器为分离式叉指换能器，LT薄膜光波导设置在压电材料上，分离式叉指换能器设置在LT薄膜光波导上，所述压电材料其结构自下而上依次包括Si衬底、SiO₂层和LT薄膜层，所述的LT薄膜光波导设置在LT薄膜层中，

所述的LT薄膜光波导在压电材料上的制备过程为：

S1.镀膜，选择压电材料，用PECVD镀膜机在压电材料的LT薄膜层的表面镀一层100~150nm厚的SiO₂膜；

S2.光刻，在LT薄膜层表面的SiO₂膜上沉积一层负光胶，100~120℃下烘烤20~30分钟；在负光胶上放置一块光波导掩膜板，紫外光照射30~60秒；将样品在显影液中放置30~60秒进行显影,除去未被照射的负光胶，然后在去离子水中漂洗干净，100~120℃下烘烤8~12分钟；用SiO₂腐蚀液去除未被光刻胶覆盖的SiO₂膜，制作出间距为1~2μm的SiO₂掩模；最后用除胶剂去除SiO₂掩模上覆盖的光刻胶；

S3.VPPE处理，将光刻后的样品用丙酮或酒精清洗干净，在100~120℃下烘烤5～10分钟；在石英细颈瓶底部铺一层苯甲酸粉末3~8g，然后把样品放入细颈瓶中，瓶子中部的细颈可将样品与苯甲酸隔开；将石英细颈瓶竖直放入恒温槽中，然后在320～350℃下密封处理8～10个小时，

所述的分离式叉指换能器的制备过程为：

S1.将VPPE处理后的样品用丙酮或酒精清洗干净，在100~120℃下烘烤5～10分钟；

S2.在做完光波导的LT薄膜层的表面利用正光胶，通过对准套刻方式制作出压电换能器的图形，100~120℃下烘烤2~10分钟；

S3.用电子束真空蒸镀机在做完压电换能器图形的LT薄膜层的表面镀一层500~700nm厚的Pt薄膜层；

S4.将镀膜后的样品放入丙酮或NMP溶剂中，剥离掉多余的Pt薄膜层，制作出Pt金属层的压电换能器，并清洗干净。

2.根据权利要求1所述的一种钽酸锂薄膜波导声光调制器，其特征在于：所述的压电材料为Y42-LTOI材料结构。

3.根据权利要求1所述的一种钽酸锂薄膜波导声光调制器，其特征在于： Si衬底的厚度为400~1000μm，SiO₂层的厚度为400~600nm，LT薄膜层的厚度为500~1000nm。

4.根据权利要求1所述的一种钽酸锂薄膜波导声光调制器，其特征在于：所述LT薄膜层中均匀分布的每个LT薄膜光波导宽度为1~2μm，厚度与LT薄膜层一致。

5.根据权利要求1所述的一种钽酸锂薄膜波导声光调制器，其特征在于：所述的分离式叉指换能器厚度为500~700nm，间距为20~40μm。