[发明专利]一种基于IGBT子模块的MMC回路结构及开路故障诊断方法在审

专利信息
申请号: 202010568371.5 申请日: 2020-06-19
公开(公告)号: CN111781484A 公开(公告)日: 2020-10-16
发明(设计)人: 刘泽浩;肖岚;张津杨;许子龙;陈磐 申请(专利权)人: 南京航空航天大学
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R31/54;G01R1/30
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 徐激波
地址: 211106 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 igbt 模块 mmc 回路 结构 开路 故障诊断 方法
【说明书】:

发明公开了一种基于IGBT子模块的MMC回路结构及开路故障诊断方法,所述MMC回路结构由若干组相桥臂组成;所述相桥臂包括上桥臂和下桥臂,所述上桥臂和下桥臂经由电感串联连接;所述相桥臂包括若干级联在一起的IGBT子模块;所述IGBT子模块为半桥拓扑结构,包括IGBT开关管Q1、Q2;所述IGBT开关管Q1与二极管D1反向并联;IGBT开关管Q2与二极管D2反向并联;所述半桥拓扑结构与电容并联构成IGBT子模块;所述诊断方法包括故障检测和故障定位两部分:故障检测通过子模块驱动信号下的开关状态信号Si与其子模块电容电流信号进行与逻辑判断,满足条件则子模块IGBT发生开路故障;故障定位阶段通过子模块的开关状态信号Si中的i值为1或0确定发生故障的IGBT子模块。

技术领域

本发明涉及变流器故障诊断,主要涉及一种基于IGBT子模块的MMC回路结构及开路故障诊断方法。

背景技术

MMC具有低开关频率、低开关损耗、高输出电压、高输出功率等级、高效率及四象限运行等优点。MMC因其卓越的优点受到了广泛的研究并且成功应用于高压直流输电、电机驱动等领域。由于MMC随着输出电平数的增加其桥臂子模块串联数量呈正比例线性增加,进而MMC桥臂中使用的绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistors,IGBT)数量不断增加。当IGBT发生开路故障时,MMC故障子模块的电容电压不断升高并且输出电压和输出电流发生畸变,在缺乏故障诊断方法的前提下,最终会导致MMC的停机甚至损坏。由于功率半导体器件的故障占功率变换器总故障的21%,MMC的可靠性是其面对的最主要挑战。因此,快速准确的故障诊断和定位技术研究对MMC的安全运行有着十分重要的意义。

目前,对于IGBT开路故障诊断和定位的研究方法可以分为以下四类:1)基于硬件电路;2)基于信号处理;3)基于模型;4)基于人工智能算法。以上IGBT开路故障诊断方法对MMC数学模型依赖程度较高,故障诊断效果易受MMC数学模型的精确程度的影响,本发明基于MMC的输出信号进行故障诊断,具有直接、快速、精确的优点,该发明彻底摆脱了对MMC数学模型的依赖。

发明内容

发明目的:针对现有故障诊断方法对MMC数学模型依赖程度高的缺点,本发明提供了一种由IGBT子模块构成的MMC回路结构以及基于MMC输出信号的开路故障诊断方法,兼具直接、快速和精确的优点。。

技术方案:为实现上述目的,本发明采用的技术方案为:

一种基于IGBT子模块的MMC回路结构,所述MMC回路结构由若干组相桥臂组成;所述相桥臂包括上桥臂和下桥臂,所述上桥臂和下桥臂经由电感串联连接;所述相桥臂包括若干级联在一起的IGBT子模块;所述IGBT子模块为半桥拓扑结构,包括IGBT开关管Q1、Q2;所述IGBT开关管Q1与二极管D1反向并联;IGBT开关管Q2与二极管D2反向并联,二者构成半桥拓扑结构;所述半桥拓扑结构与电容并联构成IGBT子模块。

一种基于上述MMC回路结构的IGBT开路故障诊断方法,包括以下步骤:

步骤S1、对相桥臂的桥臂电流信号ibrg(t)、所有子模块的电容电流信号icap_i(t)与开关状态信号Si进行采样;定义计数值Count[i],初始值为0;当满足如下条件(1)或条件(2)时:

(1)Si=1icap_i(t)=0

(2)Si=0icap_i(t)=ibrg(t)

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