[发明专利]倍增寄存器结构以及包括该倍增寄存器结构的EMCCD

权利要求书

1.一种提高EMCCD响应线性度的倍增寄存器结构，包括衬底和位于衬底之上的埋沟；在埋沟上覆盖有栅介质，在栅介质上形成有第一电极Ф1、第二电极Фdc、第三电极Фem和第四电极Ф3；这四个电极依次对应为第一转移相、直流相、倍增相以及第二转移相；其特征在于，将埋沟按照各电极划分出对应的第一埋沟、第二埋沟、第三埋沟以及第四埋沟；将第三电极Фem的倍增相向下对应的第三埋沟划分为倍增埋沟和电荷埋沟，所述倍增埋沟用于电荷倍增；所述电荷埋沟用于存储倍增后的电荷，且所述电荷埋沟的深度大于所述倍增埋沟的深度；所述倍增埋沟的浓度与其他埋沟的浓度一致，所述电荷埋沟的浓度略高于倍增埋沟的浓度，其中，其他埋沟包括第一埋沟、第二埋沟以及第四埋沟，电荷埋沟的浓度比倍增埋沟浓度高1/3~1倍。

2.根据权利要求1所述的一种提高EMCCD响应线性度的倍增寄存器结构，其特征在于，所述衬底为P型衬底，所述埋沟为N型埋沟或者所述衬底为N型衬底，所述埋沟为P型埋沟。

3.根据权利要求1所述的一种提高EMCCD响应线性度的倍增寄存器结构，其特征在于，在所述电荷埋沟处加注磷用于提高电荷埋沟浓度。

4.一种提高响应线性度的EMCCD，包括存储区、光敏区、水平寄存器和读出放大器，其特征在于，在所述水平寄存器和所述读出放大器之间安装有多个如权利要求1~3任一所述的倍增寄存器结构。