[发明专利]一种边读边写的SDRAM控制系统及控制方法有效

专利信息
申请号: 202010567437.9 申请日: 2020-06-19
公开(公告)号: CN111739569B 公开(公告)日: 2022-04-26
发明(设计)人: 李婷;马屹巍;郝昕 申请(专利权)人: 西安微电子技术研究所
主分类号: G11C11/413 分类号: G11C11/413;G11C16/26;G11C16/34
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 朱海临
地址: 710065 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 边读边写 sdram 控制系统 控制 方法
【说明书】:

发明公开了一种边读边写的SDRAM控制系统及控制方法,该系统的N个写数据缓存FIFO,N个读数据缓存FIFO,FIFO缓存控制模块和SDRAM时序控制模块;该系统中FIFO缓存控制模块在不断的对SDRAM时序控制模块发出针对SDRAM的初始化、读、读刷新、写和写刷新操作的指令,使得SDRAM不断的进行读写操作,但因为SDRAM在同一个时间只能进行一个操作,因此通过写数据缓存FIFO和读数据缓存FIFO不断进行数据的读取和缓存,使得从外部客户端的角度,该系统能够不间断的同步读写。

【技术领域】

本发明属于SDRAM控制器技术领域,具体涉及一种边读边写的SDRAM控制系统及控制方法。

【背景技术】

SDRAM作为随机动态存储器,能够提供大容量的存储深度和很高的读写速率,但是SDRAM相对于SRAM,FIFO等存储器件,其控制相对复杂。因此,在需要通过缓存实现数据流水的应用场景中,普遍采用FIFO。但是,当数据带宽很高的时候,在数据流水中需要的缓存深度会随之提高,而FIFO无法满足这一应用场景。并且目前的SDRAM控制器只能实现对SDRAM的单记单放操作,无法满足数据流水的需求。因此需要一种可以实现对SDRAM进行边记边放操作的SDRAM控制系统和控制方法。

【发明内容】

本发明的目的在于克服上述现有技术的缺点,提供一种边读边写的SDRAM控制系统及控制方法,以解决现有的SDRAM控制器难以对SDRAM存储器件进行边记边放的问题。

为达到上述目的,本发明采用以下技术方案予以实现:

一种边读边写的SDRAM控制系统,包括:

写数据缓存FIFO,用于持续性的缓存写入至SDRAM的数据;

读数据缓存FIFO,用于持续性的缓存从SDRAM读出的数据;

FIFO缓存控制模块,用于从写数据缓存FIFO中读取数据,将数据写入SDRAM时序控制模块,同时从SDRAM时序控制模块中读出数据写入至读数据缓存FIFO中;同时向SDRAM时序控制模块输出对SDRAM的控制命令;所述控制命令为对SDRAM循环的进行读、读刷新、写和写刷新操作;

SDRAM时序控制模块,用于将FIFO缓存控制模块输出控制命令转换为SDRAM能够识别的命令;将从FIFO缓存控制模块中写入的数据转换并输入至SDRAM中,将从SDRAM读出的数据转换并输入至FIFO缓存控制模块中;

所述SDRAM控制系统包括N个写数据缓存FIFO和N个读数据缓存FIFO,N为≥3的自然数。

本发明的进一步改进在于:

优选的,FIFO缓存控制模块包括写缓存FIFO仲裁状态机、读缓存FIFO仲裁状态机和SDRAM总线分时复用控制状态机;

写缓存FIFO仲裁状态机,用于确定写入数据的写数据缓存FIFO;

读缓存FIFO仲裁状态机,用于确定读出数据的读数据缓存FIFO;

SDRAM总线分时复用控制状态机,用于发出对SDRAM的控制指令。

优选的,所述写数据FIFO缓存的深度为1024,半满值为512;FIFO缓存控制模块将写数据缓存FIFO中的数据写入至对应的bank,每一个写数据缓存FIFO有各自对应的bank。

优选的,SDRAM时序控制模块中设置有SDRAM时序控制状态机,所述SDRAM时序控制状态机用于将FIFO缓存控制模块中发出的数据、地址、以及命令,转化为SDRAM要求的时序和控制信号;同时将SDRAM读出的数据转换后输入至FIFO缓存控制模块中。

一种基于上述任意一项控制系统的边读边写的SDRAM控制方法,

对SDRAM发出上电初始化指令;

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