[发明专利]显示面板及其制备方法、显示装置在审
| 申请号: | 202010566417.X | 申请日: | 2020-06-19 |
| 公开(公告)号: | CN111653585A | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
| 发明(设计)人: | 钟莉;查国伟 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;G02F1/1335;G02F1/1343 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本申请公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置,所述显示面板包括第一显示区,所述显示面板包括:多个第一像素单元,多个所述第一像素单元位于所述第一显示区内,每个所述第一像素单元包括透光区和与所述透光区相邻设置的发光器件;第一基板,所述第一基板包括位于所述第一显示区内的第一部分,所述第一部分包括第一驱动电路以及位于所述第一驱动电路之上的电连接线;其中,所述发光器件安装于所述第一部分,所述发光器件包括背离所述第一驱动电路的电极,所述电极通过所述电连接线与所述第一驱动电路电性连接,以使所述显示面板实现屏下传感技术与光学显示在空间上的重合,降低所述显示面板的厚度。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
高屏占比显示装置因具有更窄的屏幕边框、更大的显示面积,可以为消费者带来更好的体验,成为显示领域的研究重点。但现有的全面屏显示装置由于屏下传感技术与光学显示无法在空间上重合,使得显示装置在设置传感器的区域仍不能实现显示;此外,为实现屏下传感技术,显示装置的厚度会受到一定影响,不利于用户的体验。因此,如何实现显示装置真正意义上的全屏显示,并减小显示装置的厚度成为研究的热点问题。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置,可以解决屏下传感技术与光学显示无法在空间上重合,显示装置较厚的问题。
本申请实施例提供一种显示面板,包括第一显示区,所述显示面板包括:
多个第一像素单元,多个所述第一像素单元位于所述第一显示区内,每个所述第一像素单元包括透光区和与所述透光区相邻设置的发光器件;
第一基板,所述第一基板包括位于所述第一显示区内的第一部分,所述第一部分包括第一驱动电路以及位于所述第一驱动电路之上的电连接线;
其中,所述发光器件安装于所述第一部分,所述发光器件包括背离所述第一驱动电路的电极,所述电极通过所述电连接线与所述第一驱动电路电性连接。
在一些实施例中,所述发光器件为自发光显示器件。
在一些实施例中,所述发光器件包括次毫米发光二极管或微型发光二极管中的至少一种。
在一些实施例中,所述发光器件还包括安装于所述第一基板的主体,所述电极自所述主体延伸而出,所述电连接线沿所述主体的表面延伸。
在一些实施例中,所述电极包括自所述主体延伸而出的第一电极和第二电极;所述电连接线包括第一线和第二线,所述第一线电性连接所述第一电极和所述第一驱动电路,所述第一线沿所述主体的表面延伸,所述第二线电性连接所述第二电极和所述第一驱动电路,所述第二线沿所述主体的表面延伸。
在一些实施例中,所述电连接线的制备材料包括Ti、Al、Mo、ITO中的至少一种。
在一些实施例中,所述电连接线的截面尺寸为大于或等于100纳米且小于或等于1000纳米。
在一些实施例中,所述显示面板还包括与所述第一显示区相邻设置的第二显示区,所述显示面板还包括位于所述第二显示区内的多个第二像素单元,多个所述第二像素单元的发光方式与多个所述第一像素单元的发光方式不同。
在一些实施例中,每一所述第二像素单元为液晶显示像素单元。
在一些实施例中,所述第一基板还包括位于所述第二显示区内的第二部分;所述第二部分包括第二驱动电路,所述第二驱动电路用于驱动多个所述第二像素单元。
在一些实施例中,所述电连接线的材料与所述第二驱动电路中的导电层同层设置且材料相同。
在一些实施例中,所述导电层包括像素电极,所述电连接线与所述像素电极同层设置且材料相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





