[发明专利]一种预测拆分后图形密度的方法在审
| 申请号: | 202010564354.4 | 申请日: | 2020-06-19 |
| 公开(公告)号: | CN111781798A | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
| 发明(设计)人: | 王丹;于世瑞 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F7/20 |
| 代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 预测 拆分 图形 密度 方法 | ||
本发明提供一种预测拆分后图形密度的方法,本发明对原始版图和冗余图形在拆分前分别增加补值,并在增加补值后对原始版图和冗余图形进行双重图形拆分,之后再对拆分后的原始版图和冗余图形作常规OPC处理,本发明可以更准确预测拆分后的图形密度,拆分后两张光罩的图形密度更加接近。
技术领域
本发明涉及半导体领域,特别是涉及一种预测拆分后图形密度的方法。
背景技术
双重图形拆分是基于原始版图和冗余图形,并可以实现拆分后两层图形中原始版图和冗余图形的图形密度基本一致。但是由于采用双重图形技术的层次一般都有比较大的刻蚀偏移量,原始版图和冗余图形的图形密度不能准确反应刻蚀前的图形密度。
因此,需要提出一种新的预测拆分后图形密度的方法来解决上述问题。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种预测拆分后图形密度的方法,用于解决现有技术中原始版图和冗余图形的图形密度不能准确反应刻蚀之前的图形密度的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种预测拆分后图形密度的方法,该方法至少包括以下步骤:
步骤一、提供原始版图和冗余图形,将所述原始版图拆分为第一层原始版图和第二层原始版图;将所述冗余图形拆分为第一层冗余图形和第二层冗余图形;
步骤二、分别计算所述第一层原始版图、第二层原始版图以及第一层冗余图形和第二层冗余图形的图形密度;
步骤三、对所述原始版图和所述冗余图形分别增加补值,分别得到补值后的原始版图和补值后的冗余图形;
步骤四、将所述补值后的原始版图拆分为补值后第一层原始版图和补值后第二层原始版图;将所述补值后的冗余图形拆分为补值后第一层冗余图形和补值后第二层冗余图形;
步骤五、分别计算所述补值后第一层原始版图、补值后第二层原始版图以及补值后第一层冗余图形、补值后第二层冗余图形的图形密度;
步骤六、对比所述第一层原始版图的图形密度和所述补值后第一层原始版图的图形密度并计算差值;对比所述第二层原始版图的图形密度和所述补值后第二层原始版图的图形密度并计算差值;对比所述第一层冗余图形的图形密度和所述补值后第一层冗余图形的图形密度并计算差值;对比所述第二层冗余图形的图形密度和所述补值后第二层冗余图形的图形密度并计算差值;若其中任意一项的差值大于1%,则以所述补值后第一层、第二层原始版图图形密度以及补值后第一层、第二层冗余图形图形密度作为所述拆分后图形密度。
优选地,该方法还包括步骤七、对拆分后得到的所述第一、第二层原始版图和第一、第二层冗余图形作常规OPC修正。
优选地,步骤三中对所述原始版图增加补值的方法为:将所述原始版图中的图形按边长值分为两类,并分别增加补值;步骤三中对所述冗余图形增加补值的方法为:将所述冗余图形按边长值分为两类,并分别增加补值。
优选地,将所述原始版图中的图形按边长值分为第一类和第二类,其中第一类的图形边长大于或等于所述原始版图最小设计规则的2.5倍;所述第二类的图形边长小于所述原始版图最小设计规则的2.5倍。
优选地,将冗余图形按边长值分为第一类和第二类,其中第一类的图形边长大于或等于所述冗余图形最小设计规则的2.5倍;所述第二类的图形边长小于所述冗余图形最小设计规则的2.5倍。
优选地,所述原始版图中的第一类图形根据线宽区间和间距区间的不同,增加补值不同;所述原始版图中的第二类图形根据图形长度区间和间距区间的不同,增加补值不同。
优选地,所述冗余图形的第一类图形根据伪线宽区间和伪间距区间的不同,增加补值不同;所述冗余图形中的第二类图形根据图形伪长度区间和伪间距区间的不同,增加补值不同。
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G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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