[发明专利]一种预测拆分后图形密度的方法在审
| 申请号: | 202010564354.4 | 申请日: | 2020-06-19 |
| 公开(公告)号: | CN111781798A | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
| 发明(设计)人: | 王丹;于世瑞 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F7/20 |
| 代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 预测 拆分 图形 密度 方法 | ||
1.一种预测拆分后图形密度的方法,其特征在于,该方法至少包括以下步骤:
步骤一、提供原始版图和冗余图形,将所述原始版图拆分为第一层原始版图和第二层原始版图;将所述冗余图形拆分为第一层冗余图形和第二层冗余图形;
步骤二、分别计算所述第一层原始版图、第二层原始版图以及第一层冗余图形和第二层冗余图形的图形密度;
步骤三、对所述原始版图和所述冗余图形分别增加补值,分别得到补值后的原始版图和补值后的冗余图形;
步骤四、将所述补值后的原始版图拆分为补值后第一层原始版图和补值后第二层原始版图;将所述补值后的冗余图形拆分为补值后第一层冗余图形和补值后第二层冗余图形;
步骤五、分别计算所述补值后第一层原始版图、补值后第二层原始版图以及补值后第一层冗余图形、补值后第二层冗余图形的图形密度;
步骤六、对比所述第一层原始版图的图形密度和所述补值后第一层原始版图的图形密度并计算差值;对比所述第二层原始版图的图形密度和所述补值后第二层原始版图的图形密度并计算差值;对比所述第一层冗余图形的图形密度和所述补值后第一层冗余图形的图形密度并计算差值;对比所述第二层冗余图形的图形密度和所述补值后第二层冗余图形的图形密度并计算差值;若其中任意一项的差值大于1%,则以所述补值后第一层、第二层原始版图图形密度以及补值后第一层、第二层冗余图形图形密度作为所述拆分后图形密度。
2.根据权利要求1所述的预测拆分后图形密度的方法,其特征在于:该方法还包括步骤七、对拆分后得到的所述第一、第二层原始版图和第一、第二层冗余图形作常规OPC修正。
3.根据权利要求1所述的预测拆分后图形密度的方法,其特征在于:步骤三中对所述原始版图增加补值的方法为:将所述原始版图中的图形按边长值分为两类,并分别增加补值;步骤三中对所述冗余图形增加补值的方法为:将所述冗余图形按边长值分为两类,并分别增加补值。
4.根据权利要求3所述的预测拆分后图形密度的方法,其特征在于:将所述原始版图中的图形按边长值分为第一类和第二类,其中第一类的图形边长大于或等于所述原始版图最小设计规则的2.5倍;所述第二类的图形边长小于所述原始版图最小设计规则的2.5倍。
5.根据权利要求3所述的预测拆分后图形密度的方法,其特征在于:将冗余图形按边长值分为第一类和第二类,其中第一类的图形边长大于或等于所述冗余图形最小设计规则的2.5倍;所述第二类的图形边长小于所述冗余图形最小设计规则的2.5倍。
6.根据权利要求4所述的预测拆分后图形密度的方法,其特征在于:所述原始版图中的第一类图形根据线宽区间和间距区间的不同,增加补值不同;所述原始版图中的第二类图形根据图形长度区间和间距区间的不同,增加补值不同。
7.根据权利要求5所述的预测拆分后图形密度的方法,其特征在于:所述冗余图形的第一类图形根据伪线宽区间和伪间距区间的不同,增加补值不同;所述冗余图形中的第二类图形根据图形伪长度区间和伪间距区间的不同,增加补值不同。
8.根据权利要求6所述的预测拆分后图形密度的方法,其特征在于:所述原始版图中的第一、第二类图形的每个所述区间增加的补值为定值。
9.根据权利要求7所述的预测拆分后图形密度的方法,其特征在于:所述冗余图形中的第一、第二类图形的每个所述区间增加的补值为定值。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





