[发明专利]一种咔唑基低带隙共轭聚合物及其有机电存储器件的制备方法

权利要求书

1.一种咔唑基低带隙共轭聚合物，其特征在于，所述共轭聚合物具有以下重复单元：

其中，

R₁为含3～31个碳原子的烷基；

R₂选自烷基或烷氧基；

R₃和R₄各自独立的选自氢、烷基或烷氧基。

2.根据权利要求1所述的共轭聚合物，其特征在于，

R₁为含15～19个碳原子的烷基；

R₂选自含有1-5个碳原子的烷基或烷氧基；

R₃和R₄各自独立的选自氢、含1-3个碳原子的烷基或含1-3个碳原子的烷氧基。

3.根据权利要求1所述的共轭聚合物，其特征在于，R₁为9-十七烷基，R₂为甲氧基，并且R₃和R₄为氢。

4.根据权利要求1所述的共轭聚合物，其特征在于，

所述共轭聚合物通过以下方法制备得到：

步骤1、合成卤代苯并咪唑类单体；

步骤2、合成卤代三苯胺类单体；

步骤3、将氮烷基咔唑类单体、卤代苯并咪唑类单体和卤代三苯胺类单体加入到溶剂Ⅲ中，加热反应，得到聚合物反应液；

步骤4、对聚合物反应液进行后处理，得到咔唑基低带隙共轭聚合物。

5.一种权利要求1至4之一所述的咔唑基低带隙共轭聚合物的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

步骤1、合成卤代苯并咪唑类单体；

步骤2、合成卤代三苯胺类单体；

步骤3、将氮烷基咔唑类单体、卤代苯并咪唑类单体和卤代三苯胺类单体加入到溶剂Ⅲ中，加热反应，得到聚合物反应液；

步骤4、对聚合物反应液进行后处理，得到咔唑基共轭聚合物。

6.根据权利要求1至4之一所述的咔唑基低带隙共轭聚合物的用途，用于制备有机电储存器件。

7.一种有机电存储器件，其特征在于，所述有机电储存器件包括有机层，所述有机层由权利要求1至4之一所述的咔唑基低带隙共轭聚合物制备得到。

8.根据权利要求7所述的有机电存储器件，其特征在于，所述有机电存储器件还包括衬底层、阴极层和阳极层。

9.根据权利要求7所述的有机电存储器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

步骤a、清洗带有阴极层的衬底层；

步骤b、将咔唑基低带隙共轭聚合物溶解在溶剂中，得到聚合物溶液；

步骤c、使聚合物溶液附着在阴极层上，形成有机层；

步骤d、在有机层上附着阳极层，获得有机电存储器件。