[发明专利]一种钙钛矿光伏电池及其制备方法和光电组件的制备方法在审
| 申请号: | 202010558361.3 | 申请日: | 2020-06-18 |
| 公开(公告)号: | CN111668375A | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
| 发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 杭州纤纳光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司: | 杭州奥创知识产权代理有限公司 33272 | 代理人: | 杨文华 |
| 地址: | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 钙钛矿光伏 电池 及其 制备 方法 光电 组件 | ||
1.一种钙钛矿光伏电池,其内部结构从下往上依次包括基底、前电极层、第一载流子传输层、钙钛矿层、第二载流子传输层、顶电极层,其特征在于,在前电极层上设置有n-1条切割线槽P1,切割线槽P1将前电极层划断,在切割线槽P1内填充满与第一载流子传输层一样的制备材料并与第一载流子传输层导电连接,在顶电极层上设置有n-1条切割线槽P3,每条切割线槽P3位于对应的切割线槽P1一侧,切割线槽P3的底部露出前电极层,在切割线槽P3两侧的钙钛矿层的侧面分别设有隔离层将其遮蔽,在切割线槽P3的一侧填充有与顶电极层一样的制备材料并与顶电极层导电连接,所述钙钛矿光伏电池在n-1条切割线槽P1和切割线槽P3的共同作用下被分割成n个钙钛矿光伏子电池。
2.一种钙钛矿光伏电池,其内部结构从下往上依次包括基底、前电极层、第一载流子传输层、钙钛矿层、第二载流子传输层、顶电极层,其特征在于,在第一载流子传输层上设置有n-1条切割线槽P1,切割线槽P1将前电极层和第一载流子传输层同时划断,在切割线槽P1内填充满与钙钛矿层一样的制备材料并与钙钛矿层导电连接,在顶电极层上设置有n-1条切割线槽P3,每条切割线槽P3位于对应的切割线槽P1一侧,切割线槽P3的底部露出前电极层,在切割线槽P3两侧的钙钛矿层的侧面分别设有隔离层将其遮蔽,在切割线槽P3的一侧填充有与顶电极层一样的制备材料并与顶电极层导电连接,所述钙钛矿光伏电池在n-1条切割线槽P1和切割线槽P3的共同作用下被分割成n个钙钛矿光伏子电池。
3.如权利要求1或2所述的钙钛矿光伏电池,其特征在于,所述隔离层制备材料包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇缩丁醛树脂、乙烯甲基丙烯酸共聚物、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、四氟乙烯共聚物、聚偏二氯乙烯、聚偏二氟乙烯、聚酰胺有机物中任意一种,或者包括氧化镁、氧化铝、氧化硅、硫化锌、乙酰丙酮锆、C3N4、氮化硼、碳材料及其衍生物无机物中任意一种,隔离层的厚度超过钙钛矿层的膜厚。
4.如权利要求1或2所述的钙钛矿光伏电池,其特征在于,所述钙钛矿层的制备材料是一种具有ABX3型结构的卤化物晶体,其中,A为包括甲胺基、甲脒基、铯一价阳离子中至少一种,B为包括铅离子、亚锡离子二价阳离子中至少一种,X为包括Cl-、Br-、I-中至少一种卤素阴离子。
5.如权利要求4所述的钙钛矿光伏电池,其特征在于,在钙钛矿层的制备材料中加入离子掺杂物,离子掺杂物为包括胍基阳离子、丁胺基阳离子、苯乙胺基阳离子有机胺阳离子中至少一种,或者包括锂、钠、钾、铷、硼、硅、锗、砷、锑、铍、镁、钙、锶、钡、铝、铟、镓、锡、铊、铅、铋、镧、铈、镨、钕、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥、钪、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、钇、锆、铌、钼、钌、铑、钯、银、镉、铪、钽、钨、铼、锇、铱、铂、金无机元素的阳离子中至少一种,或者还包括硫氰酸根、醋酸根离子阴离子中至少一种。
6.一种如权利要求1所述的钙钛矿光伏电池的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一、对已在基底上制备好的前电极层进行刻划得到切割线槽P1;
步骤二、使用掩膜板在切割线槽P1的一侧、切割线槽P3所在位置制备厚度不小于第一载流子传输层与钙钛矿层厚度之和的隔离区,掩膜板镂空区域的宽度大于切割线槽P3的宽度;
步骤三、使用与步骤二镂空区域相反的掩膜板依次制备第一载流子传输层、钙钛矿层与第二载流子传输层;
步骤四、对隔离区的中间区域进行刻划得到切割线槽P2,在切割线槽P2的左右两侧分别保留有隔离层,其底部露出前电极层;
步骤五、在步骤四处理后的基底薄膜上制备顶电极层;
步骤六、对切割线槽P2所在区域进行刻划得到切割线槽P3,其底部也露出前电极层,切割线槽P3的宽度小于切割线槽P2,在切割线槽P3靠近切割线槽P1的一侧保留有顶电极层的制备材料,其另一侧则紧邻隔离层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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H01L51-54 .. 材料选择





