[发明专利]基于含巯基的两性离子多肽修饰的阿霉素衍生物、纳米胶束及其制备方法

权利要求书

1.一种基于含巯基的两性离子多肽修饰的阿霉素衍生物，其特征在于，所述阿霉素衍生物具有通式（I）结构：

；

通式（I）中，

R₁和R₂选自由侧链含有羧基的氨基酸残基和侧链含有氨基的氨基酸残基组成的群组，且R₁和R₂中含有的氨基与羧基比例为1:1；

R₃选自由氢、甲基、乙基、丙基和叔丁基组成的群组；

R₄代表氢或甲基；

m代表0~1；

n代表1~30；

所述侧链含有羧基的氨基酸残基是谷氨酸残基、含有氨基的氨基酸残基是赖氨酸残基，或者侧链含有羧基的氨基酸残基是天冬氨酸残基、含有氨基的氨基酸残基是谷氨酰胺残基。

2.一种如权利要求1所述的阿霉素衍生物的制备方法，其特征在于，其包括：

在极性溶剂中，将含巯基的两性离子多肽与丙烯酰肼混合反应，将反应后的产物结晶，得到多肽衍生物；

再将所述多肽衍生物与盐酸阿霉素按照摩尔比1:0.2~5溶于极性溶剂中，加入三氟乙酸催化剂，搅拌反应后，得到具有通式（I）结构的阿霉素衍生物；

其中，含巯基的两性离子多肽具有通式（II）结构：

；

所述多肽衍生物具有通式（III）结构：

；

通式（II）和通式（III）中，

R₁和R₂选自由侧链含有羧基的氨基酸残基和侧链含有氨基的氨基酸残基组成的群组，且R₁和R₂中含有的氨基与羧基比例为1:1；所述侧链含有羧基的氨基酸残基是谷氨酸残基、含有氨基的氨基酸残基是赖氨酸残基，或者侧链含有羧基的氨基酸残基是天冬氨酸残基、含有氨基的氨基酸残基是谷氨酰胺残基；R₃选自由氢、取代或未取代的C_1~6烷基组成的群组；

R₄代表氢或甲基；

m代表0~1；n代表1~30。

3.根据权利要求2所述的阿霉素衍生物的制备方法，其特征在于，在制备所述多肽衍生物的反应中，所述两性离子多肽与所述丙烯酰肼的摩尔比为1:0.5~4。

4.根据权利要求2所述的阿霉素衍生物的制备方法，其特征在于，在制备所述多肽衍生物的步骤中，还包括将4-二甲氨基吡啶加入到所述两性离子多肽与所述丙烯酰肼形成的混合溶液中，并用波长为350~380nm的紫外线照射进行反应。

5.根据权利要求2所述的阿霉素衍生物的制备方法，其特征在于，所述三氟乙酸催化剂的加入量为1 mL反应溶剂中加入1~100 μL。

6.一种基于阿霉素衍生物的纳米胶束，其特征在于，其包括如权利要求1所述的阿霉素衍生物和极性溶剂介质。

7.一种基于阿霉素衍生物的纳米胶束的制备方法，其特征在于，其包括：将如权利要求1所述的阿霉素衍生物溶于极性溶剂介质中，进行自组装后，透析。

8.根据权利要求7所述的纳米胶束的制备方法，其特征在于，将所述阿霉素衍生物溶于二甲基亚砜中，形成浓度为4-6 mg/mL的阿霉素衍生物溶液，再将所述阿霉素衍生物溶液与甲醇按照体积比1:0.3-2充分混合后，透析。