[发明专利]一种显示基板及其制作方法、显示装置有效
| 申请号: | 202010553939.6 | 申请日: | 2020-06-17 |
| 公开(公告)号: | CN111653600B | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
| 发明(设计)人: | 成瑞;张云鹏;孙乐乐 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H10K59/131 | 分类号: | H10K59/131;H10K59/40;H10K71/00;G06F3/041 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;胡影 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
本发明提供一种显示基板及其制作方法、显示装置,所述显示基板包括:衬底基板,包括显示区域、走线区域和绑定区域;位于显示区域的发光器件;位于走线区域的呈门字形的第一电源走线和至少一条第二电源走线,第一电源走线与发光器件的阴极连接,第二电源走线的两端在靠近绑定区域的位置与第一电源走线搭接,位于绑定区域对侧的走线区域内的第一电源走线和第二电源走线通过至少两个搭接点进行搭接。根据本发明实施例的显示基板,通过增设第二电源走线,可以对流经第一电源走线的电流进行分流,有效降低了正常显示和老化过程中第一电源走线的电流集中程度,避免了电流过大处发生烧伤的情况的发生。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
在显示设备制作过程中,需要对显示设备进行老化工艺以消除由PMOS(positivechannel Metal Oxide Semiconductor,金属氧化物半导体场效应晶体管)漏电流引起的亮点和漏光,同时使用大电流将R/G/B材料寿命快速稳定,从而消除残影等不良影响。老化过程中,需要对老化效果和所加电流/电压进行取舍,若电流/电压过大,在电源走线变窄区域有灼伤风险,而若电流/电压过小,又会存在弱亮点未完全消除或存在残影以及画面显示不纯的风险。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种显示基板及其制作方法、显示装置,能够解决现有技术中老化过程选用电流/电压过小使得存在弱亮点未完全消除或存在残影以及画面显示不纯,而选用电流/电压过大又会导致电流集中区域发生灼伤的问题。
为解决上述技术问题,本发明采用以下技术方案:
本发明一方面实施例提供一种显示基板,包括:
衬底基板,所述衬底基板包括显示区域、位于所述显示区域外围的呈门字形的走线区域和位于呈门字形的走线区域的缺口处的绑定区域;
位于所述显示区域的发光器件;
位于所述走线区域的呈门字形的第一电源走线和至少一条第二电源走线,所述第一电源走线与所述发光器件的阴极连接,所述第二电源走线的两端在靠近所述绑定区域的位置与所述第一电源走线搭接,位于所述绑定区域对侧的走线区域内的第一电源走线和第二电源走线通过至少两个搭接点进行搭接。
可选的,位于所述绑定区域对侧的走线区域内的第一电源走线的上表面被位于其上方的封装层部分覆盖,所述第二电源走线与所述第一电源走线上未被所述封装层覆盖的部分连接。
可选的,位于所述显示区域两侧的走线区域内的第二电源走线与所述第一电源走线同层设置并位于所述第一电源走线的外侧。
可选的,还包括:
位于所述发光器件上方的触控层,所述第二电源走线与所述触控层同层同材料设置。
可选的,所述至少两个搭接点在所述绑定区域对侧的走线区域内等间隔设置。
可选的,所述第一电源走线为VSS走线。
本发明另一方面实施例还提供了一种显示基板的制作方法,包括:
提供一衬底基板,所述衬底基板包括显示区域、位于所述显示区域外围的呈门字形的走线区域和位于呈门字形的走线区域的缺口处的绑定区域;
形成位于所述走线区域的呈门字形的第一电源走线,以及形成位于所述显示区域的发光器件,所述第一电源走线与所述发光器件的阴极连接;
形成位于所述走线区域的呈门字形的至少一条第二电源走线,所述第二电源走线的两端在靠近所述绑定区域的位置与所述第一电源走线搭接,位于所述绑定区域对侧的走线区域内的第一电源走线和第二电源线通过至少两个搭接点进行搭接。
可选的,在形成位于所述显示区域的发光器件之后,还包括:
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