[发明专利]基片处理方法和基片处理装置

权利要求书

1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：

提供具有第1膜和第2膜的基片的工序，所述第2膜形成在该第1膜上且形成有开口；和

第1工序，其一边将第1处理气体等离子体化以在进行所述第2膜的溅射的同时蚀刻所述第1膜，一边在所述第1膜的侧壁由通过所述溅射产生的生成物形成保护膜。

2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：

实施所述第1工序至形成在所述第1膜的图案的高宽比至少成为5为止。

3.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：

还包括第2工序，其将第2处理气体等离子体化以所述第2膜为掩模蚀刻所述第1膜。

4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

还包括第3工序，其将第3处理气体等离子体化以在所述第2膜的顶部形成含硅膜。

5.如权利要求1～4中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

还包括第4工序，其将第4处理气体等离子体化，以除去堵塞所述开口和/或形成于所述第1膜的图案上部的堵塞物。

6.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：

将选自第2工序、第3工序和第4工序的1个以上的任意工序组合而成的多个循环按规定的顺序和次数实施，其中，

所述第2工序将第2处理气体等离子体化以所述第2膜为掩模蚀刻所述第1膜，

所述第3工序将第3处理气体等离子体化以在所述第2膜的顶部形成含硅膜，

所述第4工序将第4处理气体等离子体化，以除去在所述第1工序、所述第2工序和所述第3工序的任意者中产生的堵塞所述开口和/或形成于所述第1膜的图案上部的堵塞物。

7.如权利要求6所述的基片处理方法，其特征在于：

在所述第1膜形成具有20以上的高宽比的图案。

8.如权利要求1～7中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

将作为含氢气体的所述第1处理气体等离子体化，以溅射作为防反射膜的所述第2膜。

9.如权利要求1～8中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

还包括以所述第1膜为掩模对氧化硅膜和氮氧化硅膜的交替层叠部进行蚀刻的工序。

10.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

存储程序的存储部，所述程序用于实施权利要求1～9中任一项所述的基片处理方法；和

进行控制以实施所述程序的控制部。