[发明专利]微流道散热系统及其制造方法

权利要求书

1.一种微流道散热系统的制造方法，其特征在于，所述微流道散热系统的制造方法包括：

在至少一个无源器件上形成第一信号互连系统及第一微流道散热系统；

在信号互连板上形成第二信号互连系统；

使所述第一信号互连系统与所述第二信号互连系统电连接；

将至少一个有源芯片连接至所述无源器件上，所述有源芯片具有第三信号互连系统，使所述第一信号互连系统与所述第三信号互连系统电连接；

在信号互连板上形成第二微流道散热系统；

所述第一微流道散热系统与所述第二微流道散热系统贯通以形成散热流体的通路。

2.如权利要求1所述的微流道散热系统的制造方法，其特征在于，所述在至少一个无源器件上形成第一信号互连系统及第一微流道散热系统包括：

在第一无源器件的第一面上覆盖绝缘材料后，制备TSV结构；

在所述第一无源器件的TSV结构内填充金属用于信号互连，并开设若干连通的凹槽结构；

在第二无源器件的第一面上覆盖绝缘材料后，制备TSV结构；

在所述第二无源器件的TSV结构内填充金属用于信号互连，并开设若干连通的凹槽结构；

所述第一无源器件的第一面与所述第二无源器件的第一面相对键合，所述第一无源器件的TSV结构与所述第二无源器件的TSV结构电连接，所述第一无源器件的凹槽结构与所述第二无源器件的凹槽结构合围形成散热流体的通路。

3.如权利要求2所述的微流道散热系统的制造方法，其特征在于，所述在至少一个无源器件上形成第一信号互连系统及第一微流道散热系统还包括：

对所述第一无源器件的第二面进行平面化，直至暴露处所述第一无源器件的TSV结构；

在所述第一无源器件的TSV结构上形成第一重布线层；

将所述第一无源器件的第二面临时键合至硅板；

对所述第二无源器件的第二面进行平面化，直至暴露处所述第二无源器件的TSV结构和所述第二无源器件的凹槽结构；

在所述第二无源器件的TSV结构上形成第二重布线层；

将所述第一无源器件的第二面从所述硅板上拆下。

4.如权利要求3所述的微流道散热系统的制造方法，其特征在于，所述微流道散热系统的制造方法还包括：

将所述第一无源器件的第二面从所述硅板上拆下前，在所述第二无源器件的凹槽结构中填充负热膨胀体。

5.如权利要求3所述的微流道散热系统的制造方法，其特征在于，形成所述第一重布线层或所述第二重布线层包括：

采用旋涂工艺、化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺在所述第二面上沉积形成介质层，并对所述介质层进行刻蚀形成图形化的第一介质层；

采用化学气相沉积工艺、蒸镀工艺、溅射工艺、电镀工艺或化学镀工艺于所述第一介质层表面形成金属层，并对所述金属层进行刻蚀形成图形化的第一重布线层或第二重布线层。

6.如权利要求5所述的微流道散热系统的制造方法，其特征在于，所述第一介质层与所述第二面之间具有绝缘材料。

7.如权利要求3所述的微流道散热系统的制造方法，其特征在于，所述第一重布线层包括金属焊盘和金属散热块；

所述第二重布线层包括凸点结构。

8.如权利要求7所述的微流道散热系统的制造方法，其特征在于，使所述第一信号互连系统与所述第三信号互连系统电连接包括：

将所述有源芯片放置于所述金属散热块上并固定，所述有源芯片与所述金属散热块进行热传导；

将所述有源芯片通过打线键合电连接至所述金属焊盘；

使所述第一信号互连系统与所述第二信号互连系统电连接包括：

所述凸点结构焊接在所述信号互连板上的焊盘上，所述凸点结构之间具有底填材料。