[发明专利]一种双屏蔽低损耗高速率数据传输线及屏蔽层成型装置

说明书

本发明公开了一种双屏蔽低损耗高速率数据传输线及屏蔽层成型装置，其中，数据传输线包括传输线对，传输线对包括内导体、第一绝缘层、第二绝缘层、第一屏蔽层、第二屏蔽层、地线和内被层，第一绝缘层包覆于内导体之外，第二绝缘层包覆于第一绝缘层之外，第一屏蔽层纵包于第二绝缘层之外，第二屏蔽层绕包于第一屏蔽层之外，地线设置于第二屏蔽层的外侧，内被层包覆于第二屏蔽层和地线之外；第一绝缘层的厚度与第二绝缘层的平均厚度比值为1:1～1:5。本发明能传输30GHz以上频率毫米波，本发明阻抗均匀度高，能降低线材衰减抖动，线材耦合比能达到最佳状态，低衰减，低时延；双层屏蔽层能降低线材阻抗波动幅度，屏蔽性能高，并能保证屏蔽层结构稳定可靠。

技术领域

本发明涉及通信电线线缆技术领域，特别涉及一种双屏蔽低损耗高速率数据传输线及屏蔽层成型装置。

背景技术

随着现代通信技术的不断发展，信息的传输量越来越多，数据传输速率越来越快，从最初的低频LF（长波），中频MF（中波）、高频HF（短波）发展到甚高频VHF（超短波）、特高频UHF（分米波）、超高频SHF（厘米波），再到极高频EHF（毫米波），毫米波的传输频率已达到了30GHz以上，这就对数据传输线提出了更高的要求，需要在高频段传输时具备低衰减、低时延和高可靠度等特性。然而，现有高速率传输线（包括SAS、SFP、QSFP等）仅能满足28GHz以下的传输频率，在传输30GHz的毫米波时，要么衰减差，要么延时高，要么可靠度低，已经无法满足日益增长的扩频需求。

本申请人于2018.04.23申请过一项专利201810367012.6，其公开了一种低损耗高速线缆，包括线芯组、第一屏蔽层、第二屏蔽层及外被层；第一屏蔽层包覆于线芯组之外，第二屏蔽层包覆于第一屏蔽层之外，外被层包覆于第二屏蔽层之外；线芯组包括两根内导体，两根内导体之外分别单独覆盖有第一全氟乙烯丙烯共聚物绝缘层，两第一全氟乙烯丙烯共聚物绝缘层之外覆盖有同时挤出成型的第二全氟乙烯丙烯共聚物绝缘层。该专利具有两层屏蔽层和两层绝缘层，线材柔软、耐高温性强，能实现全屏蔽、介电常数一致性比较高、能减少信号衰减损耗，绝缘效果好。但是，该专利还具有如下问题：其一、两层屏蔽层未限制屏蔽层成型之后的结构模式，在实际生产中，屏蔽层通常为直包屏蔽层，这种双层直包屏蔽层的结构稳定性较差，阻抗波动幅度较大；其二、两层绝缘层的未限制厚度比例，在实际生产中，第二绝缘层的厚度通常小于第一绝缘层的厚度，线材的耦合比达不到最佳状态，从而影响线材的衰减和延时性能。

发明内容

本发明要解决的技术问题是根据现有技术的不足，提供一种双屏蔽低损耗高速率数据传输线，该数据传输线能传输30GHz以上频率的毫米波，该数据传输线的阻抗均匀度高，能降低线材衰减抖动，线材的耦合比能达到最佳状态，低衰减，低时延；该数据传输线的双层屏蔽层能降低线材的阻抗波动幅度，屏蔽性能高，并能保证屏蔽层结构稳定可靠。为此本发明还要提供一种该数据传输线的屏蔽层成型装置。

为解决上述第一个技术问题，本发明的技术方案是：一种双屏蔽低损耗高速率数据传输线，包括传输线对，所述传输线对包括内导体、第一绝缘层、第二绝缘层、第一屏蔽层、第二屏蔽层、地线和内被层，所述第一绝缘层包覆于内导体之外，所述第二绝缘层包覆于第一绝缘层之外，所述第一屏蔽层纵包于第二绝缘层之外，所述第二屏蔽层绕包于第一屏蔽层之外，所述地线设置于第二屏蔽层的外侧，所述内被层包覆于第二屏蔽层和地线之外；所述第一绝缘层的厚度与第二绝缘层的平均厚度比值为1:1～1:5。

优选地，所述第一屏蔽层为纵包热熔自粘铝箔层、纵包热熔自粘铜箔层、纵包热熔自粘镀银铜箔层、纵包铝箔层、纵包铜箔层、纵包镀银铜箔层中的任意一种；所述第二屏蔽层为绕包热熔自粘铝箔层、绕包热熔自粘铜箔层、绕包热熔自粘镀银铜箔层、绕包铝箔层、绕包铜箔层、绕包镀银铜箔层中的任意一种。

优选地，所述内导体数量为两根，所述地线数量为两根，所述第一绝缘层分别单独包覆于每根内导体之外，所述第二绝缘层同时包覆于两个并列放置的第一绝缘层之外，所述两根地线位于第二屏蔽层两侧，所述内被层包覆于两根地线和第二屏蔽层之外。