[发明专利]半导体存储装置及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于，包含：

一基底；

多个主动区，位于所述基底上；以及

多个位线，相互平行地沿着第一方向间隔地位于所述基底上，所述位线横跨所述主动区，其中，各所述位线具有相对的第一端与第二端，所述位线的所述第一端及所述第二端呈错位排列且分别具有不同的长度。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，任意相邻的两个所述位线之间的间距小于任意相邻的两个所述第一端之间的间距。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，任意相邻的两个所述位线之间的间距小于任意相邻的两个所述第二端之间的间距。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述基底包括一存储区域与一外围区域，所述位线位于所述存储区域内。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，还包括：

多个闸极，设置在所述基底内，多个所述闸极相互平行地沿着第二方向排列，所述第二方向不同于所述第一方向。

6.一种半导体存储装置的形成方法，其特征在于，包含：

提供一基底；

于所述基底上形成多个主动区；以及

在所述基底上形成多个位线，所述位线相互平行地沿着第一方向位于所述基底上并横跨所述主动区，其中各所述位线具有相对的第一端与第二端，所述位线的所述第一端及所述第二端呈错位排列且分别具有不同的长度。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置的形成方法，在所述基底上形成多个位线，其特征在于，包括：

于所述基底上形成一材料层；

进行一侧壁转移制程图案化所述材料层，形成多个位线图案；

形成一掩膜层，交替地暴露出所述位线图案的两相对端；以及

部分移除所述位线图案的所述两相对端，形成所述位线。

8.根据权利要求7所述的半导体存储装置的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的两相对侧具有多个凹陷，位于所述两相对侧的所述凹陷相互交替排列且具有不同的尺寸。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置的形成方法，其特征在于，位于相同一侧的所述凹陷具有相同的尺寸，位于不同侧的所述凹陷具有不同的尺寸。

10.根据权利要求8所述的半导体存储装置的形成方法，其特征在于，位于相同一侧的所述凹陷具有不同的尺寸。

11.根据权利要求8所述的半导体存储装置的形成方法，其特征在于，至少有两个所述凹陷具有不同的形状。

12.根据权利要求6所述的半导体存储装置的形成方法，其特征在于，还包括：

在所述基底内形成多个闸极，所述闸极相互平行地沿着第二方向排列，所述第二方向不同于所述第一方向。

13.一种半导体存储装置，其特征在于，包含：

一基底；

多个主动区，位于所述基底上；

多个字线，位于所述基底内，所述多个字线相互平行地沿着第二方向排列；以及

多个位线，相互平行地沿着第一方向间隔地设置在所述基底上，所述第一方向不同于所述第二方向，多个所述位线横跨所述主动区，其中，多个所述位线中的一部分的所述位线与多个所述字线之间的重叠面积小于所述多个位线中的其他位线。

14.根据权利要求13所述的半导体存储装置的形成方法，其特征在于，各所述位线具有相对的第一端与第二端，多个所述位线的所述第一端及所述第二端呈错位排列且分别具有不同的长度。