[发明专利]参考电压训练电路以及包括其的半导体设备在审

专利信息
申请号: 202010530624.X 申请日: 2020-06-11
公开(公告)号: CN112562753A 公开(公告)日: 2021-03-26
发明(设计)人: 金熙埈 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C5/14 分类号: G11C5/14
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 李青;王莹
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 参考 电压 训练 电路 以及 包括 半导体设备
【说明书】:

本申请涉及一种参考电压训练电路。该参考电压训练电路包括:正常缓冲器,被配置成通过基于两个差分信号的一个差分信号接收两个差分信号的另一个差分信号来生成第一接收信号;校准信号生成电路,被配置成通过根据参考电压接收两个差分信号的另一个差分信号来生成第二接收信号,并且通过将第二接收信号的相位与第一接收信号的相位进行比较来生成参考电压校准信号;以及参考电压生成电路,被配置成根据参考电压校准信号来校准参考电压的电平。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年9月26日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2019-0118822韩国申请的优先权,该韩国申请通过引用整体并入本文。

技术领域

各个实施例通常涉及半导体电路,并且更特别地,涉及一种参考电压训练电路(training circuit)以及包括该参考电压训练电路的半导体设备。

背景技术

第一半导体设备可以通过通道与第二半导体设备交换数据。

在第一半导体设备和第二半导体设备之中,一个可以是半导体存储器,另一个可以是存储器控制器。

第一半导体设备可以生成用于数据传输的参考信号,例如,数据选通信号,并且将参考信号与数据传输到第二半导体设备。

通过通道传输的数据可以包含由各种因素引起的噪声,例如,通道损耗、偏斜、串扰和ISI(符号间干扰)。

发明内容

各个实施例针对一种能够提高数据接收性能的参考电压训练电路以及包括该参考电压训练电路的半导体设备。

在实施例中,一种参考电压训练电路可以包括:正常缓冲器(normal buffer),被配置成通过基于差分信号的一个差分信号接收差分信号的另一个差分信号来生成第一接收信号;校准信号生成电路,被配置成通过根据参考电压接收差分信号的另一个差分信号来生成第二接收信号,并且通过将第二接收信号的相位与第一接收信号的相位进行比较来生成参考电压校准信号;以及参考电压生成电路,被配置成根据参考电压校准信号来校准参考电压的电平。

在实施例中,一种半导体设备可以包括:差分信号接收电路,被配置成根据差分信号和参考电压来生成参考电压校准信号;数据接收电路,被配置成根据参考电压来接收从外部半导体设备传输的数据;以及参考电压生成电路,被配置成根据参考电压校准信号来校准参考电压的电平。

附图说明

图1是示出根据实施例的半导体系统的配置的示图。

图2是示出根据实施例的参考电压训练电路的配置的示图。

图3是示出诸如图2的校准信号生成电路的操作的时序图。

图4是示出诸如图2的参考电压生成电路的配置的示图。

图5是示出根据实施例的参考电压训练方法的时序图。

具体实施方式

在下文中,参照附图,通过各个实施例描述根据本公开的参考电压训练电路以及包括参考电压训练电路的半导体设备。在整个说明书中,对“实施例”或其它类似表述的参考不一定仅针对一个实施例,并且对任何这种短语的不同参考不一定针对相同的实施例。

图1是示出根据实施例的半导体系统的配置的示图。

参照图1,半导体系统1可以包括第一半导体设备2和第二半导体设备3。

例如,半导体系统可以包括SSD(固态驱动器)。

在第一半导体设备2和第二半导体设备3之中,一个可以是半导体存储器,另一个可以是存储器控制器。

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