[发明专利]参考电压训练电路以及包括其的半导体设备在审

专利信息
申请号: 202010530624.X 申请日: 2020-06-11
公开(公告)号: CN112562753A 公开(公告)日: 2021-03-26
发明(设计)人: 金熙埈 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C5/14 分类号: G11C5/14
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 李青;王莹
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 参考 电压 训练 电路 以及 包括 半导体设备
【权利要求书】:

1.一种参考电压训练电路,包括:

正常缓冲器,通过基于两个差分信号的一个差分信号接收所述两个差分信号的另一个差分信号来生成第一接收信号;

校准信号生成电路,通过根据参考电压接收所述差分信号的另一个差分信号来生成第二接收信号,并且通过将所述第二接收信号的相位与所述第一接收信号的相位进行比较来生成参考电压校准信号;以及

参考电压生成电路,根据所述参考电压校准信号来校准所述参考电压的电平。

2.根据权利要求1所述的参考电压训练电路,其中所述校准信号生成电路包括:

复制缓冲器,根据所述参考电压接收所述差分信号的另一个差分信号并且生成所述第二接收信号;以及

相位检测器,通过将所述第二接收信号的相位与所述第一接收信号的相位进行比较来生成所述参考电压校准信号。

3.根据权利要求2所述的参考电压训练电路,其中所述复制缓冲器通过复制所述正常缓冲器来配置。

4.根据权利要求2所述的参考电压训练电路,其中当所述第二接收信号的相位领先于所述第一接收信号的相位时,所述相位检测器在所述第二接收信号的第二脉冲的上升沿将所述参考电压校准信号的一个参考电压校准信号改变为高电平。

5.根据权利要求4所述的参考电压训练电路,其中当所述第一接收信号的相位领先于所述第二接收信号的相位时,所述相位检测器在所述第一接收信号的第二脉冲的上升沿将所述参考电压校准信号的另一个参考电压校准信号改变为高电平。

6.根据权利要求1所述的参考电压训练电路,其中所述参考电压生成电路包括:

电压生成电路,根据目标电压利用电源电压来生成预参考电压,根据电压校准码来选择所述预参考电压的一个预参考电压,并且输出所选择的电压作为所述参考电压;以及

代码生成电路,根据所述参考电压校准信号来生成所述电压校准码的值。

7.根据权利要求6所述的参考电压训练电路,其中所述电压生成电路包括:

放大器,放大并输出所述目标电压和反馈电压之间的差值;

驱动器,与电源电压端子联接;

分压电阻器,联接在所述驱动器和接地电压端子之间,并且向所述放大器提供施加于节点的所述预参考电压的一个预参考电压作为所述反馈电压;以及

多工器,根据所述电压校准码,选择并输出作为所述参考电压的所述预参考电压的一个预参考电压。

8.根据权利要求1所述的参考电压训练电路,其中所述差分信号包括差分数据选通信号。

9.一种半导体设备,包括:

差分信号接收电路,根据差分信号和参考电压来生成参考电压校准信号;

数据接收电路,根据所述参考电压接收从外部半导体设备传输的数据;以及

参考电压生成电路,根据所述参考电压校准信号来校准所述参考电压的电平。

10.根据权利要求9所述的半导体设备,其中所述差分信号包括差分数据选通信号。

11.根据权利要求9所述的半导体设备,其中所述差分信号接收电路:

基于所述差分信号的第一差分信号,接收所述差分信号的第二差分信号作为第一接收信号;

基于所述参考电压,接收所述第二差分信号作为第二接收信号;并且

通过将所述第一接收信号的相位与所述第二接收信号的相位进行比较来生成所述参考电压校准信号。

12.根据权利要求9所述的半导体设备,其中所述差分信号接收电路包括:

正常缓冲器,基于所述第二差分信号接收所述第一差分信号,并且生成所述第一接收信号;

复制缓冲器,通过根据所述参考电压接收所述第一差分信号来生成所述第二接收信号;以及

相位检测器,通过将所述第二接收信号的相位与所述第一接收信号的相位进行比较来生成所述参考电压校准信号。

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