[发明专利]半导体激光器的缺陷识别方法

说明书

本发明提供了一种半导体激光器的缺陷识别方法，其包括：获取半导体激光器在老化过程中的电容和频率的第一关系曲线图；根据所述第一关系曲线图获取所述半导体激光器的缺陷能级信息和/或缺陷分布信息。本发明还提供了另一种半导体激光器的缺陷识别方法，其包括：获取半导体激光器在老化过程中的表观载流子浓度和耗尽区宽度的第二关系曲线图；根据所述第二关系曲线图获取所述半导体激光器的缺陷分布信息。本发明采用半导体激光器的电学特性来进行半导体激光器的缺陷识别，无需采用具有永久损伤的切割方法切割半导体材料之后来进行缺陷识别，从而可以实现无损识别半导体激光器的缺陷，进而不会对半导体激光器造成永久性损伤。

技术领域

本发明属于光电技术领域，具体地讲，涉及一种能够无损识别半导体激光器的缺陷的半导体激光器的缺陷识别方法。

背景技术

半导体激光器作为重要的半导体发光器件，在激光显示和激光照明等领域具有广阔的应用前景。而在制作半导体激光器时，生长半导体材料等制作过程中会产生大量的缺陷。

传统的半导体激光器中的缺陷识别方法只能识别半导体材料表面的缺陷，如果需要对半导体材料内部的缺陷进行识别，只能选择具有永久损伤的切割方法切割半导体材料之后进行缺陷的识别，然而这样通常会对半导体激光器造成永久性的损伤。

发明内容

为了解决上述现有技术存在的技术问题，本发明的目的在于提供一种能够无损识别半导体激光器的缺陷的半导体激光器的缺陷识别方法。

根据本发明的一方面，提供了一种半导体激光器的缺陷识别方法，其包括：获取半导体激光器在老化过程中的电容和频率的第一关系曲线图；根据所述第一关系曲线图获取所述半导体激光器的缺陷能级信息和/或缺陷分布信息。

在根据本发明的一方面提供的所述缺陷识别方法中，根据所述第一关系曲线图获取所述半导体激光器的缺陷能级信息，包括：在老化过程中所述半导体激光器被施加零偏压的情况下，所述半导体激光器在低频和高频下的电容值均改变，所述缺陷能级信息包括浅能级缺陷；在老化过程中所述半导体激光器被施加负偏压的情况下，所述半导体激光器在低频下的电容值改变，所述缺陷能级信息包括深能级缺陷。

在根据本发明的一方面提供的所述缺陷识别方法中，根据所述第一关系曲线图获取所述半导体激光器的缺陷分布信息，包括：在老化过程中所述半导体激光器被施加零偏压的情况下，所述半导体激光器的有源区产生所述浅能级缺陷；在老化过程中所述半导体激光器被施加负偏压的情况下，所述半导体激光器的N型层产生所述深能级缺陷。

在根据本发明的一方面提供的所述缺陷识别方法中，所述缺陷识别方法还包括：获取半导体激光器在老化过程中的表观载流子浓度和耗尽区宽度的第二关系曲线图；根据所述第二关系曲线图获取所述半导体激光器的缺陷分布信息。

在根据本发明的一方面提供的所述缺陷识别方法中，根据所述第二关系曲线图获取所述半导体激光器的缺陷分布信息，包括：在所述半导体激光器的第一老化阶段，所述半导体激光器的有源层产生了浅能级缺陷；在所述半导体激光器的第二老化阶段，所述半导体激光器的N型层产生了深能级缺陷；其中，所述半导体激光器的第一老化阶段指的是从所述半导体激光器的正常原始功率下降到所述正常原始功率一半的阶段；所述半导体激光器的第二老化阶段指的是从所述半导体激光器的正常原始功率的一半到所述半导体激光器无法出射激光的阶段。

根据本发明的另一方面，还提供了另一种半导体激光器的缺陷识别方法，其包括：获取半导体激光器在老化过程中的表观载流子浓度和耗尽区宽度的第二关系曲线图；根据所述第二关系曲线图获取所述半导体激光器的缺陷分布信息。