[发明专利]半导体激光器的缺陷识别方法

权利要求书

1.一种半导体激光器的缺陷识别方法，其特征在于，包括：

获取半导体激光器在老化过程中的电容和频率的第一关系曲线图；

根据所述第一关系曲线图获取所述半导体激光器的缺陷能级信息和/或缺陷分布信息；

其中，根据所述第一关系曲线图获取所述半导体激光器的缺陷能级信息，包括：

在老化过程中所述半导体激光器被施加零偏压的情况下，所述半导体激光器在低频和高频下的电容值均改变，所述缺陷能级信息包括浅能级缺陷；

在老化过程中所述半导体激光器被施加负偏压的情况下，所述半导体激光器在低频下的电容值改变，所述缺陷能级信息包括深能级缺陷；

其中，根据所述第一关系曲线图获取所述半导体激光器的缺陷分布信息，包括：

在老化过程中所述半导体激光器被施加零偏压的情况下，所述半导体激光器的有源区产生所述浅能级缺陷；

在老化过程中所述半导体激光器被施加负偏压的情况下，所述半导体激光器的N型层产生所述深能级缺陷。

2.根据权利要求1所述的缺陷识别方法，其特征在于，还包括：

获取半导体激光器在老化过程中的表观载流子浓度和耗尽区宽度的第二关系曲线图；

根据所述第二关系曲线图获取所述半导体激光器的缺陷分布信息。

3.根据权利要求2所述的缺陷识别方法，其特征在于，根据所述第二关系曲线图获取所述半导体激光器的缺陷分布信息，包括：

在所述半导体激光器的第一老化阶段，所述半导体激光器的有源层产生了浅能级缺陷；

在所述半导体激光器的第二老化阶段，所述半导体激光器的N型层产生了深能级缺陷；

其中，所述半导体激光器的第一老化阶段指的是从所述半导体激光器的正常原始功率下降到所述正常原始功率一半的阶段；所述半导体激光器的第二老化阶段指的是从所述半导体激光器的正常原始功率的一半到所述半导体激光器无法出射激光的阶段。

4.一种半导体激光器的缺陷识别方法，其特征在于，包括：

获取半导体激光器在老化过程中的表观载流子浓度和耗尽区宽度的第二关系曲线图；

根据所述第二关系曲线图获取所述半导体激光器的缺陷分布信息；

其中，根据所述第二关系曲线图获取所述半导体激光器的缺陷分布信息，包括：

在所述半导体激光器的第一老化阶段，所述半导体激光器的有源层产生了浅能级缺陷；

在所述半导体激光器的第二老化阶段，所述半导体激光器的N型层产生了深能级缺陷；

其中，所述半导体激光器的第一老化阶段指的是从所述半导体激光器的正常原始功率下降到所述正常原始功率一半的阶段；所述半导体激光器的第二老化阶段指的是从所述半导体激光器的正常原始功率的一半到所述半导体激光器无法出射激光的阶段。

5.根据权利要求1至4任一项所述的缺陷识别方法，其特征在于，所述半导体激光器包括：依序层叠于衬底上的N型层、有源层和P型层；

所述N型层从所述衬底到所述有源层顺序包括层叠的N型AlGaN限制层、N型GaN波导层和N型InGaN波导层；

所述有源层从所述N型层到所述P型层顺序包括层叠的第一GaN势垒层、第一InGaN量子阱层、第二GaN势垒层、第二InGaN量子阱层、第三GaN势垒层；

所述P型层包括依序层叠于所述第二GaN势垒层上的P型InGaN波导层、P型AlGaN限制层、P型GaN接触层。