[发明专利]具有磁性互连件的半导体封装件及相关方法在审

专利信息
申请号: 202010522191.3 申请日: 2020-06-10
公开(公告)号: CN112185920A 公开(公告)日: 2021-01-05
发明(设计)人: T·F·隆;J·P·冈比诺 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 秦晨
地址: 美国亚*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 磁性 互连 半导体 封装 相关 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体封装件,包括:

第一管芯,所述第一管芯包括多个接触焊盘;

第二管芯,所述第二管芯包括多个接触焊盘;

多个焊料互连件,所述多个焊料互连件将所述第一管芯的所述多个接触焊盘粘结至所述第二管芯的所述多个接触焊盘;和

多个磁性颗粒,所述多个磁性颗粒各自涂覆在氧化物中,所述氧化物包括在所述多个焊料互连件中的每个焊料互连件中。

2.根据权利要求1所述的封装件,其中所述多个磁性颗粒包括Ni、Co、Fe、Fe3O4或它们的任何组合。

3.根据权利要求1所述的封装件,其中所述氧化物包括二氧化硅。

4.一种形成半导体封装件的方法,包括:

在第一管芯上形成多个焊料互连件,其中所述多个焊料互连件包括涂覆在氧化物中的磁性颗粒;

将第二管芯耦接在所述第一管芯上方;

使所述多个焊料互连件回流;以及

向所述多个焊料互连件施加磁场以将所述第一管芯接合至所述第二管芯。

5.根据权利要求4所述的方法,其中所述磁性颗粒包括Ni、Co、Fe、Fe3O4或它们的任何组合。

6.根据权利要求4所述的方法,其中所述氧化物包括二氧化硅。

7.根据权利要求4所述的方法,还包括在施加所述磁场的同时冷却所述多个焊料互连件。

8.一种形成半导体封装件的方法,包括:

在第一管芯上形成多个焊料互连件,其中所述多个焊料互连件包括涂覆在氧化物中的磁性颗粒;

将第二管芯耦接在所述第一管芯上方;

使所述多个焊料互连件回流;

通过向所述多个焊料互连件施加磁场来增大所述多个焊料互连件的高度;以及

冷却所述多个焊料互连件,其中在所述多个焊料互连件的回流和冷却期间施加所述磁场。

9.根据权利要求8所述的方法,其中所述氧化物包括二氧化硅。

10.根据权利要求8所述的方法,其中所述磁性颗粒中的每个磁性颗粒的长度介于0.1微米至1.0微米之间。

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