[发明专利]一种用于防止ARM SHORT现象的逆变电路及方法

权利要求书

1.一种用于防止ARM SHORT现象的逆变电路，其特征在于：所述逆变电路包括半桥模块(100)，所述半桥模块(100)包括上桥臂(101)、下桥臂(102)以及设置在两者之间的钳位电路(103)；

所述上桥臂(101)包括第一电压驱动型器件(101a)以及与其进行反并联的第一二极管(101b)；所述下桥臂(102)包括第二电压驱动型器件(102a)以及第二二极管(102b)；所述钳位电路(103)包括第三二极管(103a)；

所述电压驱动型器件均包括第一极、第二极和第三极，所述第一极为栅极，所述第二极为发射极或源极，所述第三极为集电极或漏极；所述第二二极管(102b)的正极与所述第二电压驱动型器件(102a)的第二极连接；所述第三二极管(103a)的正极同时与第二二极管(102b)的负极以及第一电压驱动型器件(101a)的第二极进行连接；所述第三二极管(103a)的负极与第二电压驱动型器件(102a)的第三极连接，并与第一电压驱动型器件(101a)的第一极相短接以构成短路。

2.如权利要求1所述的用于防止ARM SHORT现象的逆变电路，其特征在于：所述第一电压驱动型器件(101a)与第二电压驱动型器件(102a)均为绝缘栅双极型晶体管，所述电压驱动型器件的第一极均为其栅极，所述电压驱动型器件的第二极为其发射极，所述电压驱动型器件的第三极为其集电极。

3.如权利要求1所述的用于防止ARM SHORT现象的逆变电路，其特征在于：所述第一电压驱动型器件(101a)与第二电压驱动型器件(102a)金属-氧化物半导体场效应晶体管，所述电压驱动型器件的第一极均为其栅极，所述电压驱动型器件的第二极为其源极，所述电压驱动型器件的第三极为其漏极。

4.如权利要求1所述的用于防止ARM SHORT现象的逆变电路，其特征在于：所述第一电压驱动型器件(101a)为P沟道场效应管，所述第二电压驱动型器件(102a)为N沟道场效应管，两者的第一极均为其栅极，两者的第二极为其源极，两者的第三极为其漏极。

5.如权利要求2～4任一所述的用于防止ARM SHORT现象的逆变电路，其特征在于：所述逆变电路还包括电容组(200)以及电感(300)；

所述电容组(200)包括第一电容(201)以及第二电容(202)，所述第一电容(201)与所述第一电压驱动型器件(101a)的第三极连接，所述第二电容(202)与所述第二电压驱动型器件(102a)的第二极连接，且所述第一电容(201)与第二电容(202)互相连接之后通过所述电感(300)连接至所述第三二极管(103a)的正极。

6.如权利要求2～4任一所述的用于防止ARM SHORT现象的逆变电路，其特征在于：所述逆变电路还包括电感(300)，且所述半桥模块(100)设置有结构相同的一对；

两个半桥模块(100)各自的第一电压驱动型器件(101a)的第三极互相连接，两个半桥模块(100)各自的第二电压驱动型器件(102a)的第二极互相连接，且两个半桥模块(100)各自的第三二极管(103a)的正极之间通过所述电感(300)进行连接。

7.如权利要求2～4任一所述的用于防止ARM SHORT现象的逆变电路，其特征在于：所述第三二极管(103a)采用快恢复二极管或者肖特基二极管。

8.如权利要求7所述的用于防止ARM SHORT现象的逆变电路，其特征在于：所述第一电压驱动型器件(101a)的第一极与所述第三二极管(103a)的负极之间的电压为0V；

当所述第三二极管(103a)导通时，其正负极间的电压大于0.7V，且所述第一电压驱动型器件(101a)的第一极与第二极之间的电压小于0V。