[发明专利]一种大尺寸碳化硅晶体生长用籽晶在审
| 申请号： | 202010517681.4 | 申请日： | 2020-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN113122922A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 靳丽婕;张云伟;何丽娟;陈颖超;杨丽雯;李天运;程章勇;李百泉;韦玉平;刘广政 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 碳化硅 晶体生长 籽晶 | ||
【权利要求书】：
1.一种大尺寸碳化硅单晶生长用籽晶，其特征在于：生长面（C面）上被一层同质外延层覆盖。
2.根据权利要求1所述的大尺寸碳化硅单晶生长用籽晶外延层，其特征在于：具有外延缓冲层。
3.根据权利要求1所述的大尺寸碳化硅单晶生长用籽晶外延层，其特征在于：外延层厚度控制在5μm~100μm；
根据权利要求1所述的大尺寸碳化硅单晶生长用籽晶，其特征在于：厚度在300~1000μm。
4.根据权利要求1所述的大尺寸碳化硅单晶生长用籽晶，其特征在于：籽晶为轴向或偏轴抛光片，其直径包括不限于100cm、150cm。
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